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| ■論文No. |
1418 |
| ■ページ数 |
57ページ |
■発行日
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2018/04/05 |
| ■タイトル |
リソグラフィ将来技術の動向 |
| ■タイトル(英語) |
Research on Next Generation Lithography Technologies |
| ■著者名 |
リソグラフィ将来技術調査専門委員会 |
| ■著者名(英語) |
Investigating R&D Committee on Next Generation Lithography Technologies |
| ■価格 |
会員 ¥3,465 一般 ¥4,950 |
| ■書籍種類 |
技術報告 |
| ■グループ名 |
【A】基礎・材料・共通部門 |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
ArF液浸、EUV、マスク、ナノインプリント、DSA／Investigating R&D Committee on Next Generation Lithography Technologies |
| ■要約(日本語) |
LSI (Large Scale Integration) デバイスの微細化は情報化社会の飛躍的発展の基礎を支えて来た。その微細化の原動力はリソグラフィ技術の進歩である。ITRS (International Technology Roadmap of Semiconductor) ロードマップ2015によれば、2022年にはハーフピッチサブ10 nmの微細加工技術が求められており、リソグラフィ技術の研究開発は一層重要性を増している。したがって、リソグラフィ将来技術の動向を探り、技術課題を明確化して、今後の研究開発の指針を得るとともに、新たな応用形態を調査・検討するための調査専門委員会を設置し、以下の項目を調査・検討した。(1) 光リソグラフィ技術、(2) EUVリソグラフィ技術、(3) ナノインプリント技術、(4) DSA技術、(5) EBリソグラフィ技術、(6) 陽子線リソグラフィ、検査、MEMS技術、(7) 国際会議。 |
| ■要約(英語) |
LSI (Large Scale Integration) device scaling has supported the basis of rapid growth in information society. The driving force of the LSI scaling is the progress in lithography technologies. According to ITRS (International Technology Roadmap of Semiconductor) 2015, nanofabrication technologies are required half pitch sub-10 nm patterns in 2022. So, research and development in the lithography technologies become more important. Therefore, research committee on next generation lithography technologies has investigated following items in order to clarify the technological issues and to obtain a guideline by researching the next generation lithography technologies; (1) Optical lithography technology, (2) EUV lithography technology, (3) Nanoimprint lithography technology, (4) DSA technology, (5) EB lithography technology, (6) Proton beam, lithography, metrology, and MEMS technologies, and (7) International conference reports. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,546Kバイト |
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