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| ・会員価格 ¥550 |
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| ■論文No. |
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| ■ページ数 |
5ページ |
■発行日
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2017/09/01 |
| ■タイトル |
透明p型半導体NiOの電気化学堆積 |
| ■タイトル(英語) |
Electrochemical Deposition of Transparent p-type Semiconductor NiO |
| ■著者名 |
Bayingaerdi Tong（名古屋工業大学大学院工学研究科機能工学専攻），市村 正也（名古屋工業大学大学院工学研究科機能工学専攻） |
| ■著者名(英語) |
Bayingaerdi Tong (Dept. Eng. Phys., Electronics, Mech., Nagoya Institute of Technology), Masaya Ichimura (Dept. Eng. Phys., Electronics, Mech., Nagoya Institute of Technology) |
| ■価格 |
会員 ¥550 一般 ¥770 |
| ■書籍種類 |
論文誌(論文単位) |
| ■グループ名 |
【A】基礎・材料・共通部門 |
| ■本誌 |
電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） Vol.137 No.9 （2017） 特集：電気電子工学関連分野における教育フロンティア
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| ■本誌掲載ページ |
542-546ページ |
| ■原稿種別 |
論文／日本語 |
| ■電子版へのリンク |
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/137/9/137_542/_article/-char/ja/
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| ■キーワード |
電気化学堆積（ECD）法，NiO薄膜，透明p型半導体 electrochemical deposition (ECD) method，NiO thin film，transparent p-type semiconductor |
| ■要約(日本語) |
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| ■要約(英語) |
NiO is a p-type semiconductor having a large band gap (> 3 eV). In this study, thin films containing Ni-O were deposited by the cathodic electrochemical deposition method, and characteristics change by heat treatment was investigated. An aqueous solution containing Ni(NO3)2 was used as a deposition solution. X-ray photoelectron spectroscopy showed that the sample before annealing was predominantly Ni(OH)2. After heat treatment in air at temperatures higher than 300oC, the NiO phase was observed by X-ray diffraction, and the p-type response was confirmed by the photoelectrochemical measurement. The band gap obtained from the light transmittance measurement was around 3.5eV. |
| ■版 型 |
A4 |
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