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| ・会員価格 ¥550 |
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| ■論文No. |
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| ■ページ数 |
9ページ |
■発行日
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2017/09/01 |
| ■タイトル |
パワーデバイスのスイッチングロスに関する解析的考察 |
| ■タイトル(英語) |
An Analytical Investigation for the Switching Loss of Power Devices |
| ■著者名 |
寺島 知秀（三菱電機（株） パワーデバイス製作所），藤原 康文（大阪大学大学院工学研究科 マテリアル生産科学専攻） |
| ■著者名(英語) |
Tomohide Terashima (Power Device Works, Mitsubishi Electric Corporation), Yasufumi Fujiwara (Division of Materials and Manufacturing Science, Graduate School of Engineering, Osaka University) |
| ■価格 |
会員 ¥550 一般 ¥770 |
| ■書籍種類 |
論文誌(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 |
| ■本誌 |
電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.137 No.9 （2017） 特集：知能メカトロニクス分野と連携する知覚情報技術
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| ■本誌掲載ページ |
1219-1227ページ |
| ■原稿種別 |
論文／日本語 |
| ■電子版へのリンク |
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/137/9/137_1219/_article/-char/ja/
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| ■キーワード |
PiNダイオード，IGBT，逆回復，ターンオフ PiN diode，IGBT，reverse recovery，turn off |
| ■要約(日本語) |
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| ■要約(英語) |
This paper reports analytical evaluation for reverse recovery action and turn-off action from high level injection state of PiN diodes and IGBTs, respectively. In the analytical evaluation, we take account of structural parameters and current continuity at the both ends of i-layer. We evaluate optimum structure for minimum energy dissipation of these switching actions by using newly employed index RiE calculated by Ri(resistance of i-layer at high level injection state) ×E(energy dissipation on i-layer during these switching actions). RiE is minimized in the case that the carrier piled up at the portion from which depletion layer start to spreading. Besides, we analytically clarify the ideal carrier profile for minimum RiE. |
| ■版 型 |
A4 |
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