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| ■論文No. |
ECT24011 |
| ■ページ数 |
4ページ |
■発行日
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2024/03/18 |
| ■タイトル |
ギルバートセル型乗算回路設計における移動度の影響 |
| ■タイトル(英語) |
Effects of mobility on the design of Gilbert cell-type multiplier circuit |
| ■著者名 |
安藤 夏輝(明治大学),関根 かをり(明治大学),和田 和千(明治大学) |
| ■著者名(英語) |
Ando Natsuki(Meiji University),Sekine Kawori(Meiji University),Wada Kazuyuki(Meiji University) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会 |
| ■本誌 |
2024年3月21日-2024年3月22日電子回路研究会
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| ■本誌掲載ページ |
7-10ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
移動度|ＭＯＳＦＥＴ|ギルバートセル|アナログ回路|Mobility|MOSFET|Gilbert cell|Analog circuit |
| ■要約(日本語) |
180nmCMOSプロセスについて、単体NMOSFETの静特性をシミュレーション・測定評価を行い、モデルの誤差を検討した。また、モデルの誤差が実効移動度に関連していることに着目し、ゲート-ソース間電圧に依存していることを示したのち、MOSトランジスタの二乗則に組み込んでギルバートセル型乗算回路を設計した。測定結果において、モデルの誤差から予想される設計回路への影響を観測・考察した。 |
| ■要約(英語) |
The static characteristics of a single NMOSFET are evaluated by simulation and measurement for a 180 nm CMOS process, and the errors of the model were investigated. It is shown that the effective mobility depends on the gate-source voltage, and a Gilbert cell-type multiplier circuit is designed by incorporating it into the square law of MOS transistors. In the measurement results, the effects on the designed circuit expected from the errors of the model are observed and discussed. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
716Kバイト |
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