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| ■論文No. |
1-41 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2023/08/22 |
| ■タイトル |
2並列接続したGaN-HEMT間の並列発振による連鎖的誤動作を防ぐ寄生インダクタンスの設計指針 |
| ■タイトル(英語) |
Design Guideline of Parasitic Inductance for Preventing Oscillatory False Triggering of Two Paralleled GaN-HEMTs Caused by Parallel Oscillation between GaN-HEMTs |
| ■著者名 |
石原 將貴（岡山大学）,吉田 崚真（岡山大学）,梅谷 和弘（岡山大学）,平木 英治（岡山大学） |
| ■著者名(英語) |
Masataka Ishihara (Okayama University),Ryoma Yoshida (Okayama University),Kazuhiro Umetani (Okayama University),Eiji Hiraki (Okayama University) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥440 |
| ■書籍種類 |
部門大会 |
| ■グループ名 |
【D】2023年電気学会産業応用部門大会講演論文集 |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
GaN-HEMT|並列接続|誤動作|等価回路モデル|GaN-HEMT|Parallel connection|False triggering|Equivalent circuit model |
| ■要約(日本語) |
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| ■要約(英語) |
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| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
2,033Kバイト |
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