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| ■論文No. |
1560 |
| ■ページ数 |
70ページ |
■発行日
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2023/11/14 |
| ■タイトル |
パワーデバイス・パワーICの高性能化及び高品質化技術動向 |
| ■タイトル(英語) |
Technology trends of power devices and power ICs for higher performance and quality |
| ■著者名 |
パワーデバイス・パワーICの高性能化及び高品質化技術調査専門委員会 |
| ■著者名(英語) |
Investigating R&D Committee for technology trends of power devices and power ICs for higher performance and quality |
| ■価格 |
会員 ¥3,049 一般 ¥4,356 |
| ■書籍種類 |
技術報告 |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 |
| ■本誌掲載ページ |
ページ |
| ■キーワード |
IGBT，パワーMOSFET，パワーIC，SiCデバイス，GaNデバイス／IGBTs, power MOSFETs, power ICs, SiC devices, GaN devices |
| ■要約(日本語) |
パワーデバイス・パワーIC 高性能化及び高品質化技術調査専門委員会では，重要度を高めるパワーデバイス・パワーIC について，その研究・技術開発動向を把握し，さらには今後取り組むべき課題を議論し方向性を指し示す事に重点を置き調査研究を行ってきた。シリコン（Si）パワーデバイス・パワー IC では損失改善だけでなく，ノイズの低減や高破壊耐量・高信頼性といった総合的な性能向上が行われてきた。学術面では，デバイス内部の動的な挙動，信頼性等を様々な手法で解析し理論的に解明する動きが活発になっており，全体としては技術の深化，多様化がより一層進んでいる。一方，既に製品化されているワイドバンドギャップ半導体であるシリコンカーバイド（SiC）や窒化ガリウム（GaN）デバイスでは，更なる性能・信頼性改善に向けた取り組みが進められている。本報告書は，パワーデバイス･パワーIC の高性能化及び高品質化を実現する技術動向について，2022 年度までの直近の 3 年間を中心として調査してきた結果をまとめたものである。本報告書が読者の技術開発や研究活動の参考に供することができれば幸いである。 |
| ■要約(英語) |
Investigating R&D committee for technology trends of power devices and power ICs for higher performance and quality has grasped the technology trends of power devices and power ICs, which have been increasingly becoming important. Moreover, it has discussed issues to be addressed in the future and has focused our research on pointing out the direction of technology. In silicon (Si) power devices and power ICs, not only the power loss but also the total performance such as noise reduction, high tolerance, and high reliability has been improved. Academically, there is a growing movement to analyze theoretically the dynamic behavior and the reliability of the device's internal state by using various methods. On the other hand, further improvements in performance and reliability have been performed in silicon carbide (SiC) and gallium nitride (GaN) devices which have been already commercialized. This report mainly summarizes the research for three years from FY2020 on technology trends that will realize higher performance and higher quality in power devices and power ICs. We hope that this report would serve as a reference for readers in their R&D activities. |
| ■版 型 |
A4 |
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