1.シリコンパワーデバイス・パワーICの更なる進化および新材料パワーデバイスの進展 |
Recent Progress of Si and WBG power semiconductor devices and Ics |
論文No: 1420 ページ数: 67 日付: 2018/04/25
著者: シリコンならびに新材料パワーデバイス・パワーIC技術調査専門委員会
キーワード : シリコンパワーデバイス,新材料パワーデバイス,パワーIC,MOSFET,IGBT/Si Power Device, WBG Power Device, Power IC, MOSFET, IGBT |
一層の省エネルギーを達成すべき電力変換装置において、その主要部品であるパワー半導体の技術動向を探り、今後の取り組むべき課題をまとめた。シリコンデバイスは,まずIGBT はオン電圧とスイッチング損失のトレードオフ改善が自己 ... more |
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