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■論文No. 1046
■ページ数 40ページ
■発行日
2006/02/10
■タイトル 超高速回路・デバイス技術の現状と今後の展開-高速デバイスおよびその要素回路や応用システム等の関連技術に関する調査-
■タイトル(英語) Current status and prospects of high-speed circuit/device technologies - Research on state-of-the-art technologies for high-speed devices and circuits and their related applications ?
■著者名 超高速デバイス・回路技術調査専門委員会
■著者名(英語) Investigating R&D Committee on High-speed device and circuit technologies
■価格 会員 ¥1,936 一般 ¥2,420
■書籍種類 技術報告
■グループ名 【C】電子・情報・システム部門
■本誌掲載ページ ページ
■キーワード Silicon, Compound semiconductor, GaAs, InP, GaN, Carbon Nanotube, High-speed applications, High-power Applications
■要約(日本語) 高度情報化社会では、必要とするデータを何時でも何処ででも選別でき、かつ大量の情報を高速に伝送し処理できることが求められる。このような状況の中で、シリコン及び化合物半導体を主体とした超高速デバイスや集積回路の研究開発は活発に行なわれている。また、インダクタやキャパシタなど低損失超高周波波受動素子やアンテナ等を能動素子と一緒に集積化する技術の重要度も増している。本報告書では、超高速回路に関るデバイス、回路、実装、応用技術について、最新の開発動向をまとめて報告する。  最新のシリコン及び化合物半導体を用いた超高速デバイス技術の開発動向を第2章にまとめる。微細化による高速化と共に、応用領域に適した様々なデバイス指標に注目して、Si、GaAs、InP、GaN系各種半導体材料の特徴を生かした開発が進展している。アンテナやフィルタ等の受動素子やその実装技術に関して、最近の開発動向を第3章にまとめる。UWBを中心とするマイクロ波帯応用では、広帯域なアンテナやフィルターの開発の重要性が指摘されている。既存の半導体トランジスタからのブレークスルーを目指した研究としてカーボンナノチューブトランジスタの開発動向を第4章にまとめる。さらに、超高速・高周波デバイスの応用動向として、その需要動向とデバイスの住み分けや、通信やミリ波イメージングでの応用例を第5章にまとめる。
■要約(英語) In the coming ICT society, it is expected that the required data can be downloaded anytime and anywhere they want and huge information can be handled through the high-speed networks. To meet these demands, strong research efforts on high-speed devices and LSI using silicon and compound semiconductors are currently carried out. Moreover, low-loss passive elements, such as inductor capacitor, and broadband high-gain antenna are also the key components and their integration with IC is expected. In this report, current status and prospect of high-speed circuit and device technologies and their related applications are summarized. In section 2, the state-of-the-art technologies for ultra high-speed silicon and compound semiconductor devices are summarized. In addition to the scaling, various kinds of figure-of-merits of devices using Si, GaAs, InP, GaN are discussed in order to make the most of advantages of their materials and device structures. In section 3, recent achievements in the R&D field of passive elements, such as antenna and filters are summarized. They are also the key components in UWB applications. In section 4, recent report on carbon nanotube transistor is summarized. It is expected that the transistor can make a breakthrough to the field of conventional semiconductor transistors. In section 5, the emerging applications for the high-speed devices and ICs are summarized. The requirements of the applications to the devices are discussed.
■版 型 A4
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