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■論文No.
■ページ数 7ページ
■発行日
2019/07/01
■タイトル 液相合成法を用いたシリコン基板上への一様な炭素膜の作製
■タイトル(英語) Deposition of Uniform Carbon Film on Silicon Substrate by Chemical Solution Process
■著者名 橋本 雄一(大同大学工学部電気電子工学科),鈴村 達也(新生テクノス(株))
■著者名(英語) Yuichi Hashimoto (Department of Electrical and Electronic Engneering, Daido University), Tatsuya Suzumura (Shinsei Technos Co., Ltd.)
■価格 会員 ¥550 一般 ¥770
■書籍種類 論文誌(論文単位)
■グループ名 【A】基礎・材料・共通部門
■本誌 電気学会論文誌A(基礎・材料・共通部門誌) Vol.139 No.7 (2019)
■本誌掲載ページ 326-332ページ
■原稿種別 論文/日本語
■電子版へのリンク https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/139/7/139_326/_article/-char/ja/
■キーワード 液相合成,炭素,電子照射,電子ビーム励起プラズマ  solution growth,carbon,electron irradiation,electron-beam excited plasma
■要約(日本語)
■要約(英語) Uniform carbon film was grown on silicon substrate treated by low energy electron at temperature of 60 degrees in the methanol solution. The treatment was carried out to modify the silicon surface by electron irradiation of 50 eV using electron-beam-excited plasma. From the results of Raman and X-ray diffraction spectra, it was confirmed that the film is crystalline carbon containing small amounts of diamond component. The ID/IG ratio and work function of carbon film increased with increasing treatment time of the silicon substrate. The increases of ID/IG ratio and work function suggest that the carbon film had greater concentration of diamond component. On the other hand, the surface roughness and work function of the silicon substrate increased due to an increase of treatment time. The variations of physical and electronic properties are attributed to carbon deposition during the growth process.
■版 型 A4
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