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| ・会員価格 ¥550 |
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| ■論文No. |
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| ■ページ数 |
7ページ |
■発行日
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2020/04/01 |
| ■タイトル |
種々の条件におけるマイクロ波プラズマを用いたSi基板上へのSiO2薄膜の形成および評価 |
| ■タイトル(英語) |
Fabrication and Evaluation of SiO2 Thin Films on Si Substrates by Microwave Plasma in Various Conditions |
| ■著者名 |
小川 隼平（埼玉工業大学 情報システム専攻），黒田 達也（埼玉工業大学 情報システム専攻），加藤 那征（埼玉工業大学 情報システム専攻），芳賀 洋典（埼玉工業大学 情報システム専攻），石崎 博基（埼玉工業大学 情報システム専攻） |
| ■著者名(英語) |
Shumpei Ogawa (Saitama Institute of Technology), Tatsuya Kuroda (Saitama Institute of Technology), Yasuyuki Katou (Saitama Institute of Technology), Hironori Haga (Saitama Institute of Technology), Hiroki Ishizaki (Saitama Institute of Technology) |
| ■価格 |
会員 ¥550 一般 ¥770 |
| ■書籍種類 |
論文誌(論文単位) |
| ■グループ名 |
【A】基礎・材料・共通部門 |
| ■本誌 |
電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） Vol.140 No.4 （2020） 特集：2019年基礎・材料・共通部門大会
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| ■本誌掲載ページ |
186-192ページ |
| ■原稿種別 |
論文／日本語 |
| ■電子版へのリンク |
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/140/4/140_186/_article/-char/ja/
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| ■キーワード |
酸化シリコン，ゲート絶縁膜，マイクロ波プラズマ SiO2，gate insulating，microwave plasma |
| ■要約(日本語) |
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| ■要約(英語) |
In the improving the characteristics of gate insulating films, the SiN thin films by microwave plasma can obtain a low interface state density. In this investigation, SiO2 thin films on Si substrate were fabricated by microwave plasma in various conditions and evaluated |
| ■版 型 |
A4 |
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