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■論文No.
■ページ数 6ページ
■発行日
2020/04/01
■タイトル

Vapor-Liquid-Solid成長法を用いて作製したSmBa2Cu3Oy線材のAg添加による液相安定化と超伝導特性

■タイトル(英語)

Liquid Phase Stabilization and Superconducting Properties by Adding Ag to SmBa2Cu3Oy Coated Conductors Fabricated by Vapor-Liquid-Solid Growth Technique

■著者名 安田 健人(名古屋大学大学院工学研究科電気工学専攻),伊東 智寛(名古屋大学大学院工学研究科電気工学専攻),吉田 隆(名古屋大学大学院工学研究科電気工学専攻),一野 祐亮(名古屋大学大学院工学研究科電気工学専攻),土屋 雄司(名古屋大学大学院工学研究科電気工学専攻)
■著者名(英語) Kento Yasuda (Department of Electrical Engineering, Nagoya University), Tomohiro Ito (Department of Electrical Engineering, Nagoya University), Yutaka Yoshida (Department of Electrical Engineering, Nagoya University), Yusuke Ichino (Department of Electrical Engineering, Nagoya University), Yuji Tsuchiya (Department of Electrical Engineering, Nagoya University)
■価格 会員 ¥550 一般 ¥770
■書籍種類 論文誌(論文単位)
■グループ名 【A】基礎・材料・共通部門
■本誌 電気学会論文誌A(基礎・材料・共通部門誌) Vol.140 No.4 (2020) 特集:2019年基礎・材料・共通部門大会
■本誌掲載ページ 247-252ページ
■原稿種別 論文/日本語
■電子版へのリンク https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/140/4/140_247/_article/-char/ja/
■キーワード 薄膜,銅酸化物超伝導体,液相成長,VLS成長法,融点降下  thin film,copper oxide superconductor,liquid phase growth,VLS growth technique,melting point depression
■要約(日本語)
■要約(英語) It is necessary to increase the deposition rate in order to reduce the production cost of REBCO coated conductors. The Vapor-Liquid-Solid (VLS) growth technique is a method capable of fabricating a thin film with high-deposition rate and good crystalline orientation owing to a crystal growth through a liquid phase. Increase of oxygen partial pressure (PO2) during the deposition is effective on increase of the deposition rate. However, since melting point of the liquid phase becomes higher with increasing PO2, it is difficult to fabricate a film at the high PO2. In this study, we tried to lower melting point of the liquid phase by adding Ag in the VLS growth technique. By adding Ag to the liquid phase, VLS growth mode in a stable liquid phase became possible even in the high PO2. As a result, we achieved fabrication of a film at a high deposition rate of 26.0 nm/sec with good crystalline orientation and the critical current density (Jc) of the film was improved.
■版 型 A4
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