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| ・会員価格 ¥550 |
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| ■論文No. |
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| ■ページ数 |
7ページ |
■発行日
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2019/01/01 |
| ■タイトル |
ニアスレッショルド電圧動作可能なFinFETによる4T-SRAM |
| ■タイトル(英語) |
FinFET 4T-SRAM Operable at Near-Threshold Region |
| ■著者名 |
分元 涼太（岐阜大学大学院工学研究科），高橋 康宏（岐阜大学工学部電気電子・情報工学科），関根 敏和（岐阜大学工学部電気電子・情報工学科） |
| ■著者名(英語) |
Ryota Wakemoto (Graduate School of Engineering, Gifu University), Yasuhiro Takahashi (Department of Electrical, Electronic, and Computer Engineering, Faculty of Engineering, Gifu University), Toshikazu Sekine (Department of Electrical, Electronic, and Computer Engineering, Faculty of Engineering, Gifu University) |
| ■価格 |
会員 ¥550 一般 ¥770 |
| ■書籍種類 |
論文誌(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 |
| ■本誌 |
電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.139 No.1 （2019） 特集：電子回路関連技術
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| ■本誌掲載ページ |
43-49ページ |
| ■原稿種別 |
論文／日本語 |
| ■電子版へのリンク |
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/139/1/139_43/_article/-char/ja/
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| ■キーワード |
SRAM，FinFET，ニアスレッショルド回路，低消費電力，静的ノイズマージン SRAM，FinFET，Near-threshold circuits，Low power dissipation，Static noise margin |
| ■要約(日本語) |
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| ■要約(英語) |
This paper presents a new FinFET 4T-SRAM that is operated with differential write and single-end read mode, in the near-threshold region. To improve the read margin and the write stability, a 3T read/write assist circuit is added to the proposed SRAM. From the HSPICE simulation results in 20 nm predictive technology model (PTM), the proposed circuit has the same static noise margin (SNM), a shorter read/write time and smaller energy dissipation compared to conventional circuits. |
| ■版 型 |
A4 |
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