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| ・会員価格 ¥550 |
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| ■論文No. |
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| ■ページ数 |
4ページ |
■発行日
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2019/03/01 |
| ■タイトル |
ポリマーゲート絶縁膜を用いた酸化物トランジスタの作製 |
| ■タイトル(英語) |
Oxide Field-Effect Transistor with Polymer-Based Gate Insulator |
| ■著者名 |
藤原 宏平（東北大学金属材料研究所） |
| ■著者名(英語) |
Kohei Fujiwara (Institute for Materials Research, Tohoku University) |
| ■価格 |
会員 ¥550 一般 ¥770 |
| ■書籍種類 |
論文誌(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 |
| ■本誌 |
電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.139 No.3 （2019） 特集：フレキシブルセラミックスコーティング
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| ■本誌掲載ページ |
207-210ページ |
| ■原稿種別 |
論文／日本語 |
| ■電子版へのリンク |
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/139/3/139_207/_article/-char/ja/
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| ■キーワード |
機能性酸化物，電界効果トランジスタ，電界効果，静電キャリア蓄積，ゲート絶縁体 functional oxides，field-effect transistors，field effect，electrostatic carrier accumulation，gate insulator |
| ■要約(日本語) |
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| ■要約(英語) |
Development of field-effect transistors (FETs) using functional oxide films is currently an area of active research. To effectively modulate electrical conduction properties, the formation of oxide channel/gate insulator interface is critical. In this technical note, a gate insulator fabrication technique based on a poly(para-xylylene) coating method, some examples of FETs on new oxide materials, and potential applications to flexible oxide FETs are described. |
| ■版 型 |
A4 |
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