*商品について |
|
表紙はついていません(本文のみ中綴じ製本です)。
号単位でも購入できます。
すべてモノクロ印刷です。
Extended Summaryはついていません。
|
|
・会員価格 ¥550 |
・一般価格 ¥770 |
|
こちらはBookPark「電気学会 電子図書館(IEEJ Electronic Library)」による文献紹介ページです。 |
|
|
|
電気学会会員の方はこちらから一旦ログインのうえ、マイページからお入りください。
会員価格で購入することができます。
|
|
非会員の方はログインの必要はありません。このまま お進みください。 |
|
|
■論文No. |
|
■ページ数 |
4ページ |
■発行日
|
2019/03/01 |
■タイトル |
ポリマーゲート絶縁膜を用いた酸化物トランジスタの作製 |
■タイトル(英語) |
Oxide Field-Effect Transistor with Polymer-Based Gate Insulator |
■著者名 |
藤原 宏平(東北大学金属材料研究所) |
■著者名(英語) |
Kohei Fujiwara (Institute for Materials Research, Tohoku University) |
■価格 |
会員 ¥550 一般 ¥770 |
■書籍種類 |
論文誌(論文単位) |
■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 |
■本誌 |
電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.139 No.3 (2019) 特集:フレキシブルセラミックスコーティング
|
■本誌掲載ページ |
207-210ページ |
■原稿種別 |
論文/日本語 |
■電子版へのリンク |
https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/139/3/139_207/_article/-char/ja/
|
■キーワード |
機能性酸化物,電界効果トランジスタ,電界効果,静電キャリア蓄積,ゲート絶縁体 functional oxides,field-effect transistors,field effect,electrostatic carrier accumulation,gate insulator |
■要約(日本語) |
|
■要約(英語) |
Development of field-effect transistors (FETs) using functional oxide films is currently an area of active research. To effectively modulate electrical conduction properties, the formation of oxide channel/gate insulator interface is critical. In this technical note, a gate insulator fabrication technique based on a poly(para-xylylene) coating method, some examples of FETs on new oxide materials, and potential applications to flexible oxide FETs are described. |
■版 型 |
A4 |
|
|
|