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■論文No.
■ページ数 6ページ
■発行日
2019/11/01
■タイトル 量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFET電気特性に対する非平衡現象の影響の解析
■タイトル(英語) Analysis of Non-equilibrium Phenomena on Electric Characteristics of Advanced MOSFETs by using a Quantum Energy Transport Model
■著者名 犬飼 恵介(京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科),廣木 彰(京都工芸繊維大学大学院工芸科学研究科)
■著者名(英語) Keisuke Inugai (Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology), Akira Hiroki (Graduate School of Science and Technology, Kyoto Institute of Technology)
■価格 会員 ¥550 一般 ¥770
■書籍種類 論文誌(論文単位)
■グループ名 【C】電子・情報・システム部門
■本誌 電気学会論文誌C(電子・情報・システム部門誌) Vol.139 No.11 (2019)特集T:国際会議ICESS 2018 特集U:電気関係学会関西連合大会
■本誌掲載ページ 1248-1253ページ
■原稿種別 論文/日本語
■電子版へのリンク https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/139/11/139_1248/_article/-char/ja/
■キーワード 量子エネルギー輸送モデル,デバイスシミュレーション,MOSFET,非平衡現象,移動度モデル  quantum energy transport model,device simulation,MOSFET,non-equilibrium phenomena,mobility model
■要約(日本語)
■要約(英語) In this paper, we have investigated non-equilibrium effects for advanced MOSFETs by using a device simulator with quantum energy transport (QET) model. The QET model allows to simulate non-equilibrium carrier transport as well as quantum confinement. The QET model includes the mobility model as a function of carrier temperature in order to consider the non-local effects. We have simulated advanced MOSFETs down to 20 nm gate length using the QET model. The QET model is compared with the quantum drift diffusion (QDD) model which includes a mobility model with local assumptions. It is found that the non-local mobility model is needed to simulate the advanced MOSFETs with less than 40 nm.
■版 型 A4
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