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| ■論文No. |
EDD21041,SPC21131 |
| ■ページ数 |
5ページ |
■発行日
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2021/10/18 |
| ■タイトル |
３．３ｋＶ耐圧ＳｉＣ ＳＪ−ＭＯＳＦＥＴの特性評価 |
| ■タイトル(英語) |
Electrical property of 3.3 kV-class SiC SJ-MOSFET |
| ■著者名 |
馬場 正和(産業技術総合研究所),俵 武志(産業技術総合研究所),森本 忠雄(産業技術総合研究所),市川 義人(富士電機),木下 明将(富士電機),武井 学(富士電機),原田 信介(産業技術総合研究所) |
| ■著者名(英語) |
Masakazu Baba(AIST),Takeshi Tawara(AIST),Tadao Morimoto(AIST),Ichikawa Ichikawa(Fuji Electric),Akimasa Kinoshita(Fuji Electric),Manabu Takei(Fuji Electric),Shinsuke Harada(AIST) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
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| ■本誌掲載ページ |
1-5ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
ＳｉＣ|ＭＯＳＦＥＴ|スーパージャンクション|オン抵抗|スイッチング|SiC|MOSFET|Superjunction|Specific on resistance|Switching |
| ■要約(日本語) |
3.3kV耐圧クラスのSiC SJ-MOSFETを試作し、静・動特性とボディダイオード通電における順方向劣化評価を行った。SJ-MOSFETは室温で3.3mΩcm2、175℃で6.2mΩcm2の超低オン抵抗を実現した。175℃のスイッチング損失は、Non-SJの6.66 mJ に対して、Semi-SJは5.32 mJ、Full-SJは6.53 mJとなり、それぞれ20%、2%低減した。 |
| ■要約(英語) |
We investigated static and dynamic characteristics in 3.3 kV-class SiC SJ-MOSFET. SJ-MOSFET has exhibited extremely low specific on resistance of 3.3 and 6.2 mΩcm2 at 25oC and 175oC respectively. A total switching loss is less than that of conventional SiC MOSFET at 175oC. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,373Kバイト |
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