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| ■論文No. |
EDD21043,SPC21133 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2021/10/18 |
| ■タイトル |
N並列のSiC MOSFETを用いた固体遮断器の設計方法 |
| ■タイトル(英語) |
A Design Method for Solid-State Circuit Breakers Using N Parallel-Connected SiC MOSFETs |
| ■著者名 |
Lou Zaiqi(九州大学),和田 圭二(東京都立大学),齋藤 渉(九州大学),西澤 伸一(九州大学) |
| ■著者名(英語) |
Zaiqi Lou(Kyushu University),Keiji Wada(Tokyo Metropolitan University),Wataru Saito(Kyushu University),Shin-ichi Nishizawa(Kyushu University) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
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| ■本誌掲載ページ |
13-18ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
パワーＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ|固体遮断機|非クランプ誘導性スイッチング試験|並列接続|信頼性|熱破壊|power SiC MOSFET|solid state circuit breaker|UIS test|parallel connect|reliability|thermal destruction |
| ■要約(日本語) |
二並列SiC MOSFETのUIS実験を行い、SiC MOSFETの耐圧ばらつき許容範囲の計算手法の妥当性を証明した。二並列の計算方法を基づいて、4並列、6並列及び8並列の場合、耐圧ばらつき許容範囲と遮断電流の臨界条件を提出した。SiC MOSFETの耐圧分布を正規分布と仮定し、その臨界条件を使い、耐圧がある正規分布に従うSiC MOSFETで耐えられる電流の確率を推定できた。そして、耐圧分布、遮断電流および並列個数の関係を求め、この関係を使用し固体遮断器を設計する。 |
| ■要約(英語) |
The UIS test of two parallel-connected SiC MOSFET was implemented to demonstrate the method of calculating acceptable breakdown voltage variations is valuable. Based on the method, the critical condition of N parallel-connected SiC MOSFET was proposed. Considering the distribution of breakdown voltage is normal distributions, the probability of current capacity of 4, 6 and 8 parallel-connected SiC MOSFETs was estimated. Furthermore, the relationship of N, current capacity, and breakdown voltage distribution was concluded to design a SSCB with N parallel-connected SiC MOSFETs. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,167Kバイト |
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