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■論文No. EDD21044,SPC21134
■ページ数 6ページ
■発行日
2021/10/18
■タイトル

ゲート接続トレンチフィールドプレートMOSFETにおけるゲートドライブ技術の提案

■タイトル(英語)

Proposal of gate drive techniques for Gate-connected Trench Field Plate MOSFET

■著者名 西脇 達也(東芝デバイス&ストレージ),可知 剛(東芝デバイス&ストレージ),川口 雄介(東芝デバイス&ストレージ),梅川 真一(東芝デバイス&ストレージ)
■著者名(英語) Tatsuya Nishiwaki(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Tsuyoshi Kachi(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Yusuke Kawaguchi(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Shinichi Umekawa(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation)
■価格 会員 ¥220 一般 ¥330
■書籍種類 研究会(論文単位)
■グループ名 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会
■本誌 2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
■本誌掲載ページ 19-24ページ
■原稿種別 日本語
■電子版へのリンク
■キーワード パワーMOSFET|トレンチフィールドプレートMOSFET|ゲート接続FP|スイッチング損失|セルフターンオン|ゲートドライブ技術|Power MOSFET|Trench Field Plate MOSFET|Gate-Connected FP|Switching loss|Shoot-through|Gate drive technique
■要約(日本語) トレンチフィールドプレート(FP)構造において、FP電極をゲートに接続したゲート接続FP構造は、FP電極の蓄積層の効果により低オン抵抗を実現できる反面、Crssが大きくなるためにスイッチング損失が大きく、高速動作が困難という問題があった。本提案では、FP端子にPchMOSと抵抗またはインダクタを加えてゲート接続することにより、ゲートFP構造のスイッチング損失を低減する駆動方式を提案する。
■要約(英語) Gate-connected Trench Field Plate (FP) structure, which of the FP electrode is connected to the Gate, realizes low on-resistance by its accumulation effect. While on the other hand, its large Crss increases switching loss and prevents high-speed switching. In this paper, we proposed the novel FP gate driving technique which is electrically connected to the Gate with a PchMOS, resistors and an inductor for reducing switching loss.
■版 型 A4
■PDFファイルサイズ 1,301Kバイト
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