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こちらはBookPark「電気学会 電子図書館(IEEJ Electronic Library)」による文献紹介ページです。 |
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■論文No. |
EDD21044,SPC21134 |
■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2021/10/18 |
■タイトル |
ゲート接続トレンチフィールドプレートMOSFETにおけるゲートドライブ技術の提案 |
■タイトル(英語) |
Proposal of gate drive techniques for Gate-connected Trench Field Plate MOSFET |
■著者名 |
西脇 達也(東芝デバイス&ストレージ),可知 剛(東芝デバイス&ストレージ),川口 雄介(東芝デバイス&ストレージ),梅川 真一(東芝デバイス&ストレージ) |
■著者名(英語) |
Tatsuya Nishiwaki(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Tsuyoshi Kachi(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Yusuke Kawaguchi(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Shinichi Umekawa(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation) |
■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
■本誌 |
2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
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■本誌掲載ページ |
19-24ページ |
■原稿種別 |
日本語 |
■電子版へのリンク |
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■キーワード |
パワーMOSFET|トレンチフィールドプレートMOSFET|ゲート接続FP|スイッチング損失|セルフターンオン|ゲートドライブ技術|Power MOSFET|Trench Field Plate MOSFET|Gate-Connected FP|Switching loss|Shoot-through|Gate drive technique |
■要約(日本語) |
トレンチフィールドプレート(FP)構造において、FP電極をゲートに接続したゲート接続FP構造は、FP電極の蓄積層の効果により低オン抵抗を実現できる反面、Crssが大きくなるためにスイッチング損失が大きく、高速動作が困難という問題があった。本提案では、FP端子にPchMOSと抵抗またはインダクタを加えてゲート接続することにより、ゲートFP構造のスイッチング損失を低減する駆動方式を提案する。 |
■要約(英語) |
Gate-connected Trench Field Plate (FP) structure, which of the FP electrode is connected to the Gate, realizes low on-resistance by its accumulation effect. While on the other hand, its large Crss increases switching loss and prevents high-speed switching. In this paper, we proposed the novel FP gate driving technique which is electrically connected to the Gate with a PchMOS, resistors and an inductor for reducing switching loss. |
■版 型 |
A4 |
■PDFファイルサイズ |
1,301Kバイト |
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