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■論文No. EDD21055,SPC21145
■ページ数 6ページ
■発行日
2021/10/18
■タイトル

両面リソグラフィ技術を用いた3.3kV両面ゲートIGBT(BC-IGBT)

■タイトル(英語)

3.3 kV Back-Gate-Controlled IGBT (BC-IGBT) Using Manufacturable Double-Side Process Technology

■著者名 更屋 拓哉(東京大学),伊藤 一夫(東京大学),高倉 俊彦(東京大学),福井 宗利(東京大学),鈴木 慎一(東京大学),竹内 潔(東京大学),附田 正則(九州工業大学),佐藤 克己(三菱電機),末代 知子(東芝デバイス&ストレージ),角嶋 邦之(東京工業大学),星井 拓也(東京工業大学),筒井 一生(東京工業大学),岩井 洋(東京工業大学),小椋 厚志(明治大学),齋藤 渉(九州大学)
■著者名(英語) Takuya Saraya(The University of Tokyo),Kazuo Itou(The University of Tokyo),Toshihiko Takakura(The University of Tokyo),Munetoshi Fukui(The University of Tokyo),Shinichi Suzuki(The University of Tokyo),Kiyoshi Takeuchi(The University of Tokyo),Masanori Tsukuda(Kyushu Institute of Technology),Katsumi Satoh(Mitsubishi Electric Corp.),Tomoko Matsudai(Toshiba Electronic Devices & Storage Corp.),Kuniyuki Kakushima(Tokyo Institute of Technology),Takuya Hoshii(Tokyo Institute of Technology),Kazuo Tsutsui(Tokyo Institute of Technology),Hiroshi Iwai(Tokyo Institute of Technology),Atsushi Ogura(Meiji University),Wataru Saito(Kyushu University)
■価格 会員 ¥220 一般 ¥330
■書籍種類 研究会(論文単位)
■グループ名 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会
■本誌 2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2
■本誌掲載ページ 7-12ページ
■原稿種別 日本語
■電子版へのリンク
■キーワード 絶縁ゲートバイポランジスタ|両面ゲート|両面リソグラフィ|スケーリング|IE効果|IGBT|Double Gate|Double Side Lithography|Scaling|Injection Enhancemen
■要約(日本語) 従来手法による性能向上の限界を打ち破る両面ダブルゲート構造について、低コストかつ量産可能な製造手法を提案し、動作実証を行った。3.3kV-IGBTにおいて、裏面ゲートコントロールにより60%以上のターンオフ損失を実現した。この成果は、より高耐圧、高速スイッチング応用に向けたシリコンIGBTの可能性を示すものである。
■要約(英語) Back-gate-controlled IGBT (BC-IGBT) is experimentally demonstrated. By using the back side MOS gate, more than 60% reduction of turn-off loss was achieved. A manufacturable process using double side lithography has been developed. BC-IGBT will provide a new technological option for expanding the frequency / voltage range of Si power devices.
■版 型 A4
■PDFファイルサイズ 2,078Kバイト
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