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| ■論文No. |
EDD21056,SPC21146 |
| ■ページ数 |
5ページ |
■発行日
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2021/10/18 |
| ■タイトル |
広いSOAと高い誤点弧耐量を有する1200V級5V駆動CSTBTTM |
| ■タイトル(英語) |
Self-turn-on-free 1200V scaled CSTBTTM driven by 5V gate voltage with wide SOA |
| ■著者名 |
西 康一(三菱電機),月東 綾則(三菱電機),田中 香次(三菱電機),古川 彰彦(三菱電機) |
| ■著者名(英語) |
Koichi Nishi(Mitsubishi Electric Corporation),Ayanori Gatto(Mitsubishi Electric Corporation),Koji Tanaka(Mitsubishi Electric Corporation),Akihiko Furukawa(Mitsubishi Electric Corporation) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2021年10月21日-2021年10月22日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2
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| ■本誌掲載ページ |
13-17ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
ＩＧＢＴ|ＣＳＴＢＴ|スケーリング|誤点弧|５Ｖ駆動|IGBT|CSTBT|scaling|self-turn-on|5V gate |
| ■要約(日本語) |
スケーリングIGBTを用いた5V駆動技術は、オン電圧およびゲートドライバ消費電力低減に有効である。本論文では、高い誤点弧耐量を有する1200V級5V駆動CSTBTの実証結果を報告する。狭メサ、狭エミッタパターンにより低いオン電圧と高いSOAを実現し、低い容量比により高い誤点弧耐量を実現した。 |
| ■要約(英語) |
Scaled IGBT for 5V gate voltage operation is a key technology to reduce the VCEsat and the driver power consumption. In this paper, we experimentally demonstrate a self-turn-on free 1200V scaled CSTBTTM driven by 5V gate voltage. By using narrow mesa and fine n+-emitter pattern, low VCEsat and wide SOA was obtained. Also, high self-turn-on immunity even without negative gate bias was achieved owing to low Cres/Cies ratio. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,031Kバイト |
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