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| ■論文No. |
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| ■ページ数 |
55ページ |
■発行日
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2022/03/06 |
| ■タイトル |
2022年3月9日電子デバイス研究会 |
| ■タイトル(英語) |
9.Mar.2022 Technical Meeting on Electron Devices |
| ■著者名 |
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| ■著者名(英語) |
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| ■価格 |
会員 ¥1,980 一般 ¥2,970 |
| ■書籍種類 |
研究会(冊子単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
研究会テーマ:高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用（第2期） |
| ■要約(日本語) |
シリコンカーバイド極限環境用集積回路および画素デバイスの研究:黒木 伸一郎(広島大学),志摩 拓真(広島大学),目黒 達也(広島大学),Vuong Van Cuong(広島大学),武山 昭憲(量子科学技術研究開発機構),牧野 高紘(量子科学技術研究開発機構),大島 武(量子科学技術研究開発機構),児島 一聡(産業技術総合研究所),田中 保宣(産業技術総合研究所)
フォトニクス技術を利用したミリ波・テラヘルツ波応用のための半導体デバイス技術:永妻 忠夫(大阪大学)
Ku帯マルチキャリア対応衛星通信地球局用内部整合型GaN HEMT増幅器:杉谷 拓海(三菱電機),吉岡 貴章(三菱電機),山崎 貴嗣(三菱電機),野上 洋一(三菱電機)
NO窒化処理を施した非基底面SiC MOSデバイスの信頼性:中沼 貴澄(大阪大学),小林 拓真(大阪大学),染谷 満(産業技術総合研究所),岡本 光央(産業技術総合研究所),吉越 章隆(日本原子力研究開発機構),細井 卓治(大阪大学),志村 考功(大阪大学),渡部 平司(大阪大学)
AlNゲート絶縁体を用いたAlGaN/GaN MISデバイスにおける絶縁体/半導体界面層挿入の効果:松山 秀幸(北陸先端科学技術大学院大学),Deng Yuchen(北陸先端科学技術大学院大学),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
多端子ホール素子によるオーミック金属下半導体の特性評価法とAlGaN/GaNヘテロ構造への適用:瓜生 和也(北陸先端科学技術大学院大学, アドバンテスト研究所),木内 翔太(北陸先端科学技術大学院大学),佐藤 拓(アドバンテスト研究所),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
無線電力伝送用大電力レクテナ:伊東 健治(金沢工業大学),坂井 尚貴(金沢工業大学),野口 啓介(金沢工業大学)
GaN HEMTを用いたGated-Anodeダイオードのマイクロ波整流特性:分島 彰男(名古屋工業大学),土屋 洋一(名古屋工業大学),安藤 裕二(名古屋大学),高橋 英匡(名古屋大学),新田 州吾(名古屋大学),柳生 栄治(三菱電機),林 宏暁(三菱電機),伊東 健治(金沢工業大学),坂井 尚貴(金沢工業大学)
GaNとSiCを一体化したハイブリッド型HEMTの研究開発:中島 昭(産業技術総合研究所),平井 悠久(産業技術総合研究所),三浦 喜直(産業技術総合研究所),原田 信介(産業技術総合研究所) |
| ■要約(英語) |
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| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
7,647Kバイト |
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