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| ■論文No. |
EDD22032,SPC22172 |
| ■ページ数 |
5ページ |
■発行日
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2022/11/28 |
| ■タイトル |
V溝型SiCトレンチMOSFET搭載フルSiCパワーモジュール |
| ■タイトル(英語) |
Full SiC Power Module with 4H-SiC V-groove Trench MOSFETs |
| ■著者名 |
金田 達志(住友電気工業),日吉 透(住友電気工業),内田 光亮(住友電気工業),倉島 宏実(住友電気工業) |
| ■著者名(英語) |
Tatsushi Kaneda(Sumitomo Electric Industries),Toru Hiyoshi(Sumitomo Electric Industries),Kosuke Uchida(Sumitomo Electric Industries),Hiromi Kurashima(Sumitomo Electric Industries) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
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| ■本誌掲載ページ |
1-5ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
ＳｉＣパワーモジュール|トレンチＭＯＳＦＥＴ|低損失|SiC Power module|Trench MOSFET|High efficiency |
| ■要約(日本語) |
当社では、ゲートをV溝型とし、高チャネル移動度で高効率化に有利な結晶面をチャネルに用いた、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を開発してきた。今回、市場に流通する汎用モジュールと形状互換とし、V溝型SiCトレンチMOSFETを搭載した1,200V-400A定格のフルSiCパワーモジュールを開発した。本報告では、当社のMOSFETの特長である低オン抵抗、高速スイッチング特性による低損失化の実現と、国際規格に準拠した製品信頼性について述べる。 |
| ■要約(英語) |
We have been developing a metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) with “V-groove shaped” trench structure on the high efficiency crystal face. In this time, we introduce the Full SiC Power Module that has rated voltage of 1200 V and current of 400 A as the Si compatible form-factor. Here, we will report the excellent characteristics of our module, i.e. low on-resistance and high speed switching owing to excellent characteristic of MOSFETs in conjunction with the reliability test result based on the international standards. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,103Kバイト |
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