| ■論文No. |
EDD22042,SPC22182 |
| ■ページ数 |
4ページ |
■発行日
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2022/11/28 |
| ■タイトル |
窒化物半導体の光電気化学エッチングと電子デバイス応用 |
| ■タイトル(英語) |
Photo-electrochemical Etching of Nitride Semiconductors and Electron Device Applications |
| ■著者名 |
佐藤 威友(北海道大学) |
| ■著者名(英語) |
Taketomo Sato(Hokkaido University) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
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| ■本誌掲載ページ |
61-64ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
窒化物半導体|ウェットエッチング|光電気化学反応|電子デバイス|Nitride semiconductors|Wet etching|Photoelectrochemical reactions|Electron devices |
| ■要約(日本語) |
窒化物半導体のウェットエッチングと電子デバイス応用について、著者らの取り組みを中心に紹介します。光電気化学（PEC）反応を用いることにより、加工損傷を与えることなくGaN系材料のウェットエッチングが可能です。PECエッチング法は、AlGaN/GaN HEMTのゲートリセス加工やドライエッチングで導入されたダメージの除去に効果を発揮します。 |
| ■要約(英語) |
The wet etching of nitride semiconductors and their electron device applications will be presented, focusing on the authors' approaches. Photoelectrochemical (PEC) reactions can be used to wet etch GaN-based materials without causing process damage. The PEC etching technique is effective in gate-recess etching of AlGaN/GaN HEMTs and removing surface damage caused by dry etching. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,480Kバイト |
