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■論文No. EDD22044,SPC22184
■ページ数 6ページ
■発行日
2022/11/28
■タイトル

局所ライフタイムキラー制御によるフィールドプレート(FP)MOSFETの逆回復電荷と漏れ電流のトレードオフ改善

■タイトル(英語)

Demonstration of the field plate power MOSFETs with local life-time killer for improvement of Qrr-IDSS trade-off

■著者名 小林 勇介(東芝),西脇 達也(東芝デバイス&ストレージ ),可知 剛(東芝デバイス&ストレージ),下條 亮平(東芝デバイス&ストレージ),雁木 比呂(東芝),馬場 祥太郎(東芝),福田 大地(東芝),井口 智明(東芝),高尾 和人(東芝)
■著者名(英語) Yusuke Kobayashi(Toshiba Corporation),Tatsuya Nishiwaki(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Tsuyoshi Kachi(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Ryohei Gejo(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation),Hiro Gangi(Toshiba Corporation),Shotaro Baba(Toshiba Corporation),Taichi Fukuda(Toshiba Corporation),Tomoaki Inokuchi(Toshiba Corporation),Kazuto Takao(Toshiba Corporation)
■価格 会員 ¥220 一般 ¥330
■書籍種類 研究会(論文単位)
■グループ名 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会
■本誌 2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
■本誌掲載ページ 75-80ページ
■原稿種別 日本語
■電子版へのリンク
■キーワード パワーMOSFET|フィールドプレート|局所ライフタイム制御|逆回復電荷|プロトン|漏れ電流|Power MOSFET|Field Plate|Local lifetime control|Reverse recovery charge|Proton|Leakage current
■要約(日本語) 縦型フィールドプレート(FP)MOSFETの逆回復電荷と漏れ電流のトレードオフ改善にはカソードに局所ライフタイム制御することが有効である。
本研究ではプロトン照射により局所ライフタイム制御したFP-MOSFETを試作し、均一なライフタイム制御に対してトレードオフが改善することを実証した。
またFPは内蔵スナバとして機能するため、カソードに欠陥を形成してもサージ電圧が低下することを実証した。
■要約(英語) Local lifetime killer on the cathode side in FP-MOSFET was demonstrated and realized by proton irradiation from the surface. The cathode damage successfully improves the Qrr-IDSS trade-off compared with uniform damage. Owing to the internal FP snubber, the low Qrr of the cathode damage contributes to achieving a low surge voltage with soft recovery waveforms. The advantage of using local lifetime killer and internal FP snubber together were demonstrated.
■版 型 A4
■PDFファイルサイズ 1,785Kバイト
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