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| ■論文No. |
EDD22059,SPC22199 |
| ■ページ数 |
4ページ |
■発行日
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2022/11/28 |
| ■タイトル |
スプリットダミーアクティブCSTBTによるリカバリーdV/dt-ターンオン損失トレードの改善 |
| ■タイトル(英語) |
Split-Dummy-Active CSTBT for improving Recovery dV/dt and Turn-on Switching Loss trade-off |
| ■著者名 |
小西 和也(三菱電機),西 康一(三菱電機),迫 紘平(三菱電機),古川 彰彦(三菱電機) |
| ■著者名(英語) |
Kazuya Konishi(Mitsubishi Electric Corporation),Koichi Nishi(Mitsubishi Electric Corporation),Kohei Sako(Mitsubishi Electric Corporation),Akihiko Furukawa(Mitsubishi Electric Corporation) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2
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| ■本誌掲載ページ |
49-52ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
ＩＧＢＴ|ＣＳＴＢＴ|ゲート容量|スプリットゲート|リカバリーｄＶ／ｄｔ|ターンオン損失|IGBT|CSTBT|Gate capacitance|Split-gate|Recovery dV/dt|Turn-on switching loss |
| ■要約(日本語) |
リカバリーdV/dtとEonのトレードオフを改善するため, トレンチ内部の電極を2段に分割し, 上段の電極をエミッタ電位に, 下段の電極をゲート電位にしたスプリットダミーアクティブ構造を開発した。本構造により, リカバリーdV/dt-Eonトレードオフの46%改善を実現した。 |
| ■要約(英語) |
IGBTs have the trade-off between recovery dV/dt and turn-on switching loss. In this study, we propose the split-dummy-active CSTBTTM with the intentionally increased gate-collector capacitance for the first time, and experimentally demonstrate its impact on the trade-off. The proposed structure successfully realizes advanced improvement in the trade-off by 46%. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
2,230Kバイト |
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