 |
| ・会員価格 ¥220 |
| ・一般価格 ¥330 |
|
|
| こちらはBookPark「電気学会 電子図書館（IEEJ Electronic Library）」による文献紹介ページです。 |
|
 |
 |
電気学会会員の方はこちらから一旦ログインのうえ、マイページからお入りください。
会員価格で購入することができます。
|
|
| 非会員の方はログインの必要はありません。このまま お進みください。 |
|
|
| ■論文No. |
EDD22061,SPC22201 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
|
2022/11/28 |
| ■タイトル |
ホール制御型ゲートを有する4.5 kVダブルゲートRC-IEGT |
| ■タイトル(英語) |
4.5 kV Double-gate RC-IEGT with Hole Control Gate |
| ■著者名 |
加藤 貴大(東芝 ),下條 亮平(東芝デバイス&ストレージ),坂野 竜則(東芝 ),川上 陽代(東芝デバイス&ストレージ),早瀬 茂昭(東芝デバイス&ストレージ),井口 智明(東芝 ),高尾 和人(東芝 ) |
| ■著者名(英語) |
Takahiro Kato(Toshiba Corporation),Ryohei Gejo(Toshiba Electronic Device & Storage Corporation),Tatsunori Sakano(Toshiba Corporation),Akiyo Kawakami(Toshiba Electronic Device & Storage Corporation),Shigeaki Hayase(Toshiba Electronic Device & Storage Corporation),Tomoaki Inokuchi(Toshiba Corporation),Kazuto Takao(Toshiba Corporation) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2022年12月1日-2022年12月2日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2
|
| ■本誌掲載ページ |
57-62ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
|
| ■キーワード |
逆導通電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ|ダブルゲート|ホール制御型ゲート|RC-IEGT|Double-gate|Hole control gate |
| ■要約(日本語) |
大容量電力変換器の性能向上のため高耐圧パワーデバイスの低損失化が求められている。本研究では、ホール制御型ゲート(H-CG)を有するダブルゲート構造の逆導通電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ(RC-IEGT)に対し、ターンオフ前はH-CGに負電圧、逆回復前はH-CGに正電圧を印加する制御を行い、導通損失を悪化させずターンオフ損失と逆回復損失を低減できることを実証したので、その結果について発表する。 |
| ■要約(英語) |
A 4.5 kV double-gate reverse-conducting injection-enhanced-gate-transistor (RC-IEGT) with a hole control gate (H-CG) has been developed for improving power conversion efficiencies for medium-voltage power converters utilized such as HVDC systems. In the developed double-gate RC-IEGT, a negative voltage is applied to the H-CG before the turn-off, while a positive voltage is applied to the H-CG before the reverse recovery mode. It was demonstrated that the fabricated H-CG type double-gate RC-IEGT reduced both the turn-off loss and the reverse recovery loss without increasing the conduction loss. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,655Kバイト |
|
|
|
