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| ■論文No. |
EDD23020 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2023/03/24 |
| ■タイトル |
InP系MOS-HEMTによるサブテラヘルツ帯パワーアンプ |
| ■タイトル(英語) |
Sub-Terahertz Power Amplifiers Using InP-Based MOS-HEMTs |
| ■著者名 |
熊崎 祐介(富士通),尾崎 史朗(富士通),岡本 直哉(富士通),原 直紀(富士通),中舍 安宏(富士通),佐藤 優(富士通),多木 俊裕(富士通) |
| ■著者名(英語) |
Kumazaki Yusuke(Fujitsu),Shiro Ozaki(Fujitsu),Naoya Okamoto(Fujitsu),Naoki Hara(Fujitsu),Yasuhiro Nakasha(Fujitsu),Masaru Sato(Fujitsu),Toshihiro Ohki(Fujitsu) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 |
| ■本誌 |
2023年3月27日電子デバイス研究会
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| ■本誌掲載ページ |
7-12ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
増幅器|高電子移動度トランジスタ|テラヘルツ|３００ＧＨｚ帯|６Ｇ|power amplifier|HEMT|terahertz|300-GHz-band|6G |
| ■要約(日本語) |
本研究では高効率なサブテラヘルツ帯パワーアンプをInP系MOS-HEMTで実現した。Al2O3ゲート絶縁膜の適用とドレイン側アクセス領域の最適化により、トランジスタのDCおよびRF特性を改善した。広帯域で共役整合する段間回路を付与することでユニットPAあたりのS21を最大化し、サブテラヘルツ帯PA-MMICとして非常に優れたPAEと、6Gで活用が期待される周波数をカバーする広帯域特性を実現した。 |
| ■要約(英語) |
This work shows a high-efficiency power amplifier (PA) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) that uses InP-based metal?oxide?semiconductor (MOS) high-electron-mobility transistors (HEMTs). Al2O3 gate electric with H2O vapor treatment was adopted to reduce gate leakage current and increase drain current. The length of the drain-side access region was optimized to simultaneously obtain high power and efficiency. A common-source PA MMIC based on InP-based MOS-HEMTs was fabricated, and an interstage circuit was designed to maximize the S21 per unit stage in the broadband, resulting in a record-high power-added efficiency and wide bandwidth. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,263Kバイト |
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