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| ■論文No. |
EDD23022 |
| ■ページ数 |
5ページ |
■発行日
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2023/03/24 |
| ■タイトル |
内蔵SBDの新規配置構造による、SiC-MOSFETのRonA-逆導通信頼性トレードオフの改善 |
| ■タイトル(英語) |
Design guidelines for SBD integration into SiC-MOSFET breaking RonA- diode conduction capability trade-off |
| ■著者名 |
朝羽 俊介(東芝デバイス&ストレージ/東芝),古川 大(東芝デバイス&ストレージ),楠本 雄司(東芝デバイス&ストレージ),飯島 良介(東芝),河野 洋志(東芝デバイス&ストレージ) |
| ■著者名(英語) |
Shunsuke Asaba(Toshiba Electronic Devices & Storage/Toshiba),Masaru Furukawa(Toshiba Electronic Devices & Storage),Yuji Kusumoto(Toshiba Electronic Devices & Storage),Ryosuke Iijima(Toshiba),Hiroshi Kono(Toshiba Electronic Devices & Storage) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 |
| ■本誌 |
2023年3月27日電子デバイス研究会
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| ■本誌掲載ページ |
19-23ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
ＳｉＣ|ＭＯＳＦＥＴ|ＳＢＤ内蔵|SiC|MOSFET|embedded- SBD |
| ■要約(日本語) |
セル部にSchottky Barrier Diodeを統合したSBD内蔵SiC-MOSFETは、ダイオード通電時の信頼性に優れる一方で、チャネル密度が低いためオン抵抗が高い課題がある。今回、SBDの配置パターンを従来のストライプから市松模様に変更することで、高いチャネル密度を保ちながら均一なSBD配置が可能となり、信頼性とオン抵抗のトレードオフ関係の改善を実証した。 |
| ■要約(英語) |
SiC-MOSFETs with embedded- Schottky Barrier Diode have good reliability against diode conduction, however, on-resistance is high due to its low channel density. In this paper, the developed SBD distribution with checker pattern was examined and improvement in trade-off relation with reliability and on-resistance was demonstrated. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
915Kバイト |
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