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■論文No. EDD23023
■ページ数 6ページ
■発行日
2023/03/24
■タイトル

1.2 kV耐圧SiCトレンチMOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析

■タイトル(英語)

Analysis of surge current capability of internal pin diodes in 1.2 kV SiC trench MOSFETs

■著者名 北村 雄大(筑波大学),岩室 憲幸(筑波大学),矢野 裕司(筑波大学),原田 信介(産業技術総合研究所),佐藤 弘(産業技術総合研究所)
■著者名(英語) Yudai Kitamura(University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro(University of Tsukuba),Hiroshi Yano(University of Tsukuba),Shinsuke Harada(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiroshi Sato(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST))
■価格 会員 ¥220 一般 ¥330
■書籍種類 研究会(論文単位)
■グループ名 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会
■本誌 2023年3月27日電子デバイス研究会
■本誌掲載ページ 25-30ページ
■原稿種別 日本語
■電子版へのリンク
■キーワード SiCトレンチMOSFET|内蔵pinダイオード|順方向サージ電流耐量|Cuブロック|SiC trench MOSFET|Internal pin diodes|Surge current capability|Cu block
■要約(日本語) 1.2 kV耐圧のSiCトレンチMOSFETにおいて、内蔵ダイオードの順方向サージ電流耐量を確保することは非常に重要である。本研究では、デバイス表面に熱容量の大きいCuブロックを付加した際に試験中のデバイス内部の放熱性が改善し、温度上昇が抑制されることで、順方向サージ電流耐量が向上することを実験的に示した。この結果はSiCトレンチMOSFETの信頼性向上に資する重要な研究成果と言える。
■要約(英語) In this study, we experimentally demonstrated that an enhanced surge current capability of internal pin diodes in 1.2-kV SiC trench MOSFETs that have thick Cu heat capacitance blocks attached to chip surfaces. The MOSFETs achieved a significant improvement of 57 % in surge current capability, owing to the suppression of lattice temperature rise. Also, it is noted that there was no sacrifice of static characteristics such as I-V curves in the first and third quadrants of the MOSFETs.
■版 型 A4
■PDFファイルサイズ 2,097Kバイト
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