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| ■論文No. |
EDD23023 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2023/03/24 |
| ■タイトル |
1.2 kV耐圧SiCトレンチMOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析 |
| ■タイトル(英語) |
Analysis of surge current capability of internal pin diodes in 1.2 kV SiC trench MOSFETs |
| ■著者名 |
北村 雄大(筑波大学),岩室 憲幸(筑波大学),矢野 裕司(筑波大学),原田 信介(産業技術総合研究所),佐藤 弘(産業技術総合研究所) |
| ■著者名(英語) |
Yudai Kitamura(University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro(University of Tsukuba),Hiroshi Yano(University of Tsukuba),Shinsuke Harada(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiroshi Sato(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 |
| ■本誌 |
2023年3月27日電子デバイス研究会
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| ■本誌掲載ページ |
25-30ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
ＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴ|内蔵ｐｉｎダイオード|順方向サージ電流耐量|Ｃｕブロック|SiC trench MOSFET|Internal pin diodes|Surge current capability|Cu block |
| ■要約(日本語) |
1.2 kV耐圧のSiCトレンチMOSFETにおいて、内蔵ダイオードの順方向サージ電流耐量を確保することは非常に重要である。本研究では、デバイス表面に熱容量の大きいCuブロックを付加した際に試験中のデバイス内部の放熱性が改善し、温度上昇が抑制されることで、順方向サージ電流耐量が向上することを実験的に示した。この結果はSiCトレンチMOSFETの信頼性向上に資する重要な研究成果と言える。 |
| ■要約(英語) |
In this study, we experimentally demonstrated that an enhanced surge current capability of internal pin diodes in 1.2-kV SiC trench MOSFETs that have thick Cu heat capacitance blocks attached to chip surfaces. The MOSFETs achieved a significant improvement of 57 % in surge current capability, owing to the suppression of lattice temperature rise. Also, it is noted that there was no sacrifice of static characteristics such as I-V curves in the first and third quadrants of the MOSFETs. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
2,097Kバイト |
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