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■論文No. EDD23024
■ページ数 6ページ
■発行日
2023/03/24
■タイトル

オーミック金属下n-GaNにおける電子移動度向上: 多端子ホール測定による評価

■タイトル(英語)

Electron mobility enhancement in n-GaN under Ohmic-metal: characterization by multi-probe-Hall measurement

■著者名 瓜生 和也(北陸先端科学技術大学院大学/ アドバンテスト研究所),Deng Yuchen (北陸先端科学技術大学院大学),Le Son Phuong (Linkoping大学),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
■著者名(英語) Kazuya Uryu(Japan Advanced Institute of Science and Technology/ Advantest Laboratories Ltd.),Yuchen Deng(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Son Phuong Le(Linkoping University),Toshi-kazu Suzuki(Japan Advanced Institute of Science and Technology)
■価格 会員 ¥220 一般 ¥330
■書籍種類 研究会(論文単位)
■グループ名 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会
■本誌 2023年3月27日電子デバイス研究会
■本誌掲載ページ 31-36ページ
■原稿種別 日本語
■電子版へのリンク
■キーワード n型GaN|多端子ホール測定|オーミックコンタクト|n-GaN|multi-probe-Hall measurement|Ohmic contact
■要約(日本語) 半導体内部の電気特性は, オーミック金属形成により変化する. 我々はこれまでに, 多端子ホール測定によりオーミック金属下半導体におけるシート抵抗, キャリア密度および移動度を評価する手法を提案した. 本報告では, 多端子ホール測定による特性評価法をオーミック金属下n-GaNへ適用し, オーミック金属下における電子移動度が分極ドーピングにより向上していることを明らかにする.
■要約(英語) Electrical properties of semiconductors are modified by formation of Ohmic-metals. Previously, by using multi-probe-Hall devices, we proposed a characterization method for the sheet resistance, the carrier concentration, and the carrier mobility. In this report, applying the method to n-GaN, we elucidate that, under an Ohmic-metal, the electron mobility is enhanced by polarization doping.
■版 型 A4
■PDFファイルサイズ 3,044Kバイト
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