 |
| ・会員価格 ¥220 |
| ・一般価格 ¥330 |
|
|
| こちらはBookPark「電気学会 電子図書館（IEEJ Electronic Library）」による文献紹介ページです。 |
|
 |
 |
電気学会会員の方はこちらから一旦ログインのうえ、マイページからお入りください。
会員価格で購入することができます。
|
|
| 非会員の方はログインの必要はありません。このまま お進みください。 |
|
|
| ■論文No. |
EDD23024 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
|
2023/03/24 |
| ■タイトル |
オーミック金属下n-GaNにおける電子移動度向上: 多端子ホール測定による評価 |
| ■タイトル(英語) |
Electron mobility enhancement in n-GaN under Ohmic-metal: characterization by multi-probe-Hall measurement |
| ■著者名 |
瓜生 和也(北陸先端科学技術大学院大学/ アドバンテスト研究所),Deng Yuchen (北陸先端科学技術大学院大学),Le Son Phuong (Linkoping大学),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学) |
| ■著者名(英語) |
Kazuya Uryu(Japan Advanced Institute of Science and Technology/ Advantest Laboratories Ltd.),Yuchen Deng(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Son Phuong Le(Linkoping University),Toshi-kazu Suzuki(Japan Advanced Institute of Science and Technology) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 |
| ■本誌 |
2023年3月27日電子デバイス研究会
|
| ■本誌掲載ページ |
31-36ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
|
| ■キーワード |
ｎ型ＧａＮ|多端子ホール測定|オーミックコンタクト|n-GaN|multi-probe-Hall measurement|Ohmic contact |
| ■要約(日本語) |
半導体内部の電気特性は, オーミック金属形成により変化する. 我々はこれまでに, 多端子ホール測定によりオーミック金属下半導体におけるシート抵抗, キャリア密度および移動度を評価する手法を提案した. 本報告では, 多端子ホール測定による特性評価法をオーミック金属下n-GaNへ適用し, オーミック金属下における電子移動度が分極ドーピングにより向上していることを明らかにする. |
| ■要約(英語) |
Electrical properties of semiconductors are modified by formation of Ohmic-metals. Previously, by using multi-probe-Hall devices, we proposed a characterization method for the sheet resistance, the carrier concentration, and the carrier mobility. In this report, applying the method to n-GaN, we elucidate that, under an Ohmic-metal, the electron mobility is enhanced by polarization doping. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
3,044Kバイト |
|
|
|
