 |
| ・会員価格 ¥220 |
| ・一般価格 ¥330 |
|
|
| こちらはBookPark「電気学会 電子図書館（IEEJ Electronic Library）」による文献紹介ページです。 |
|
 |
 |
電気学会会員の方はこちらから一旦ログインのうえ、マイページからお入りください。
会員価格で購入することができます。
|
|
| 非会員の方はログインの必要はありません。このまま お進みください。 |
|
|
| ■論文No. |
EDD23025 |
| ■ページ数 |
4ページ |
■発行日
|
2023/03/24 |
| ■タイトル |
高抵抗炭素ドープGaNバッファ上N極性GaN HEMTの高周波特性評価 |
| ■タイトル(英語) |
RF characteristics of N-polar GaN HEMT with high-resistivity C-doped GaN buffer |
| ■著者名 |
吉屋 佑樹(日本電信電話株式会社),星 拓也(日本電信電話株式会社),堤 卓也(日本電信電話株式会社),杉山 弘樹(日本電信電話株式会社),中島 史人(日本電信電話株式会社) |
| ■著者名(英語) |
Yuki Yoshiya(NTT Corporation),Takuya Hoshi(NTT Corporation),Takuya Tsutsumi(NTT Corporation),Hiroki Sugiyama(NTT Corporation),Fumito Nakajima(NTT Corporation) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 |
| ■本誌 |
2023年3月27日電子デバイス研究会
|
| ■本誌掲載ページ |
37-40ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
|
| ■キーワード |
Ｎ極性ＧａＮ|ＧａＮ ＨＥＭＴ|高抵抗バッファ|炭素ドープ|高周波特性|N-polar GaN|GaN HEMT|high-resistivity buffer|carbon-doped|RF characteristics |
| ■要約(日本語) |
N極性GaNはMOCVD法で成長する際にGa極性と比較して酸素を取込みやすく、残留キャリア密度が高くなりやすい。これはHEMT動作時にバッファリークの要因となり、RFデバイスにおいて高周波化を制限する。今回リーク抑制のために炭素ドープによって高抵抗化したGaNバッファを採用した。この高抵抗CドープGaNバッファ上にN極性GaN HEMTを作製し高周波特性を評価した結果を報告する。 |
| ■要約(英語) |
N-polar GaN tends to incorporate more oxygen than Ga-polar GaN in growth by MOCVD. Oxygen impurities cause high residual carrier density and result in buffer leakage. Buffer leakage limits RF characteristics of GaN HEMT. To suppress buffer leakage, we use high-resistivity carbon-doped GaN buffer. In this report, we evaluate RF characteristics of N-polar GaN HEMT on high-resistivity C-doped GaN buffer. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
738Kバイト |
|
|
|
