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| ■論文No. |
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| ■ページ数 |
45ページ |
■発行日
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2023/03/24 |
| ■タイトル |
2023年3月27日電子デバイス研究会 |
| ■タイトル(英語) |
27.Mar.2023 Technical Meeting on Electron Devices |
| ■著者名 |
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| ■著者名(英語) |
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| ■価格 |
会員 ¥1,540 一般 ¥2,310 |
| ■書籍種類 |
研究会(冊子単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
研究会テーマ:高機能化合物半導体エレクトロニクス技術と将来システムへの応用(第2期) |
| ■要約(日本語) |
5G/6G向けミリ波・サブテラヘルツ波フェイズドアレー実装技術:國弘 和明(日本電気),大島 直樹(日本電気),丹治 康紀(日本電気),パン ジェン(東京工業大学),白根 篤史(東京工業大学),岡田 健一(東京工業大学)
InP系MOS-HEMTによるサブテラヘルツ帯パワーアンプ:熊崎 祐介(富士通),尾崎 史朗(富士通),岡本 直哉(富士通),原 直紀(富士通),中舍 安宏(富士通),佐藤 優(富士通),多木 俊裕(富士通)
InPデバイス高密度異種集積に向けたWaferLevelPackage技術の製造課題と解決へのアプローチ:荒木 友輔(日本電信電話),白鳥 悠太(日本電信電話),中島 史人(日本電信電話)
内蔵SBDの新規配置構造による、SiC-MOSFETのRonA-逆導通信頼性トレードオフの改善:朝羽 俊介(東芝デバイス&ストレージ/東芝),古川 大(東芝デバイス&ストレージ),楠本 雄司(東芝デバイス&ストレージ),飯島 良介(東芝),河野 洋志(東芝デバイス&ストレージ)
1.2 kV耐圧SiCトレンチMOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析:北村 雄大(筑波大学),岩室 憲幸(筑波大学),矢野 裕司(筑波大学),原田 信介(産業技術総合研究所),佐藤 弘(産業技術総合研究所)
オーミック金属下n-GaNにおける電子移動度向上: 多端子ホール測定による評価:瓜生 和也(北陸先端科学技術大学院大学/ アドバンテスト研究所),Deng Yuchen (北陸先端科学技術大学院大学),Le Son Phuong (Linkoping大学),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)
高抵抗炭素ドープGaNバッファ上N極性GaN HEMTの高周波特性評価:吉屋 佑樹(日本電信電話株式会社),星 拓也(日本電信電話株式会社),堤 卓也(日本電信電話株式会社),杉山 弘樹(日本電信電話株式会社),中島 史人(日本電信電話株式会社) |
| ■要約(英語) |
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| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
10,170Kバイト |
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