| ■論文No. |
OQD23026 |
| ■ページ数 |
5ページ |
■発行日
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2023/07/25 |
| ■タイトル |
Epitaxial lateral overgrowth（ELO）技術を用いた超低欠陥micro-LEDの作製方法 |
| ■タイトル(英語) |
Fabrication method of a low defect density micro-LED by epitaxial lateral overgrowth technique |
| ■著者名 |
神川 剛(京セラ) |
| ■著者名(英語) |
Takeshi Kamikawa(Kyocera corporation) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 光・量子デバイス研究会 |
| ■本誌 |
2023年7月28日光・量子デバイス研究会
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| ■本誌掲載ページ |
5-9ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
窒化物半導体|マイクロＬＥＤ|横方向成長|低欠陥|結晶性|GaN|micro-LED|epitaxial lateral overgrowth|low dislocation density|crystal quality |
| ■要約(日本語) |
我々は、異種基板を用いて、横方向成膜技術（Epitaxial lateral overgrowth technique: ELO法）を進化させることで、独自のテンプレート基板（ELO GaN on Silicon substrate (EGOS基板)）を作製した。次に、本EGOS基板を用いたmicro-LEDのプロセス、剥離方法を開発することで、超低欠陥のmicro-LEDを作製した。 |
| ■要約(英語) |
Low dislocation density micro-LED was fabricated by the new original Si based substrate. The substrate was formed via epitaxial lateral overgrowth technique. The substrate has a low dislocation density area > 20 μm on the silicon substrate. Moreover, we also developed a removal method which can easily remove micro-LED on the original substrate from the substrate. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,179Kバイト |
