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| ■論文No. |
EDD23034,SPC23217 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2023/10/23 |
| ■タイトル |
トリガーp-nダイオードの導入によるSBD内蔵SiC MOSFETのサージ耐量向上の検討 |
| ■タイトル(英語) |
Experimental study on improvement of surge current capability of SBD-embedded SiC MOSFET by introducing trigger p-n diode |
| ■著者名 |
大橋 輝之(東芝),河野 洋志(東芝デバイス＆ストレージ),朝羽 俊介(東芝デバイス＆ストレージ),尾形 昂洋(東芝),飯島 良介(東芝) |
| ■著者名(英語) |
Teruyuki Ohashi(Toshiba),Hiroshi Kono(Toshiba Electronic Devices & Storage),Shunsuke Asaba(Toshiba Electronic Devices & Storage),Takahiro Ogata(Toshiba),Ryosuke Iijima(Toshiba) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
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| ■本誌掲載ページ |
53-58ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
ＳＢＤ内蔵ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ|サージ耐量|SBD-embedded SiC MOSFET|Surge current |
| ■要約(日本語) |
SBD内蔵SiC MOSFETにおいて、サージ電流耐量を向上する新規デバイス構造を検討した。デバイス内部に伝導度変調を誘起するトリガーp-nダイオードを設けることで、サージ電流印加時に低抵抗で大電流を流すことが可能となり、発熱が抑制されてサージ耐量を向上できると考えた。トリガーp-nダイオードをチップ全体に分散させることで、局所的な発熱を抑制しつつ伝導度変調がチップ全体に誘起され、サージ電流耐量を向上することに成功した。 |
| ■要約(英語) |
A new device structure to improve surge current capability in SBD-embedded SiC MOSFETs was investigated. By introducing trigger p-n diodes that induce conductivity modulation, high current flowed with low resistance and heat generation was suppressed, resulting in an improvement in surge current capability. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,498Kバイト |
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