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| ■論文No. |
EDD23035,SPC23218 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2023/10/23 |
| ■タイトル |
Ｓｉ−ＳＪＢＪＴ／ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴダーリントンスイッチ |
| ■タイトル(英語) |
Si-SJBJT/SiC-MOSFET Darlington switch |
| ■著者名 |
涌井 翔真(山梨大学),矢野 浩司(山梨大学) |
| ■著者名(英語) |
Shoma Wakui(University of Yamanashi),Koji Yano(University of Yamanashi) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
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| ■本誌掲載ページ |
59-64ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
スーパージャンクション|ダーリントン|バイポーラトランジスタ|ＭＯＳＦＥＴ|炭化ケイ素|シリコン|Superjunction|Darlington|Bipolar transistor|MOSFET|SiC|Si |
| ■要約(日本語) |
メインスイッチであるSi-スーパージャンクションバイポーラトランジスタ（SJBJT)と駆動用SiC-MOSFETの600V級ダーリントンスイッチを提案した。同スイッチはSJBJTとSi-MOSFETの組み合わせに比べ、オン抵抗を低減できることが明らかになった。また提案スイッチにおけるSJBJTのベース端子への負電圧印加により，ターンオフ遅延時間の短縮に成功した。 |
| ■要約(英語) |
We propose a 600-V class Darlington power switching device which consists of a Si-superjunction bipolar transistor (SJBJT) as a main switch and an SiC-MOSFET as a auxiliary transistor. It has been clear that the on-resistance of this Darlington switch is much smaller than that of a Darlington pair of the SJBJT and conventional Si-MOSFET. For the proposed Darlington switch, the delay time during the turn-off operation is successfully reduced by applying a negative voltage to the base terminal of the SJBJT. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
2,413Kバイト |
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