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| ■論文No. |
EDD23036,SPC23219 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2023/10/23 |
| ■タイトル |
SiCフィン型トレンチMOSFETの提案 |
| ■タイトル(英語) |
Proposal of Vertical-channel Fin-SiC MOSFET |
| ■著者名 |
清水 悠佳(日立製作所),須藤 建瑠(日立製作所),毛利 友紀(日立製作所),久本 大(日立製作所),島 明生(日立製作所),木下 昂洋(日立パワーデバイス),村田 龍紀(日立パワーデバイス),織田 哲男(日立パワーデバイス) |
| ■著者名(英語) |
Haruka Shimizu(Hitachi, Ltd.),Takeru Suto(Hitachi, Ltd.),Yuki Mori(Hitachi, Ltd.),Digh Hisamoto(Hitachi, Ltd.),Akio Shima(Hitachi, Ltd.),Koyo Kinoshita(Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.),Tatsunori Murata(Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.),Tetsuo Oda(Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
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| ■本誌掲載ページ |
65-70ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
ＳｉＣ|ＭＯＳＦＥＴ|フィン|トレンチ|オン抵抗|スケーリング |
| ■要約(日本語) |
低いオン抵抗と低い酸化膜電界を両立できる構造として、フィン型のSiCトレンチMOSFETを試作、検証した。我々がこれまで提案してきたTED-MOSに比べオン抵抗を大幅に低減できるだけでなく、スイッチング損失も低減できることを確認した。また、さらなるパワーデバイス進化の指針として、パワーデバイスに適用可能なスケーリング則を提案する。 |
| ■要約(英語) |
A fin-type SiC trench MOSFET was fabricated and verified as a structure that achieves both low on-resistance and low oxide film electric field. We have confirmed that not only can the on-resistance be greatly reduced compared to the TED-MOS, but also the switching loss can be reduced. We also propose a scaling law applicable to power devices as a guideline for further evolution of power devices. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,313Kバイト |
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