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| ■論文No. |
EDD23039,SPC23222 |
| ■ページ数 |
4ページ |
■発行日
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2023/10/23 |
| ■タイトル |
SiC MOSFETのソフトターンオフ短絡保護方法の提案 |
| ■タイトル(英語) |
Soft turn-off short-circuit protection method for SiC MOSFETs |
| ■著者名 |
杜 赫(九州工業大学),Bayarsaikhan Yandagkhuu(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学) |
| ■著者名(英語) |
He Du(Kyushu Institute of Technology),Yandagkhuu Bayarsaikhan(Kyushu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
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| ■本誌掲載ページ |
77-80ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ|短絡保護|ソフトターンオフ|ロゴスキーコイル|SiC MOSFET|Short circuit|Soft turn-off|Rogowski coil |
| ■要約(日本語) |
ソフトターンオフによる短絡保護を実現するアクティブゲートクランプ回路を提案する。クランプコンデンサを用いたゲート電荷放電回路により、ドレイン電圧のオーバーシュートの低減、ピーク電流の低減、短絡時の過度なエネルギーの防止などの効果が得られる。 |
| ■要約(英語) |
An active gate clamping circuit that offers soft turn-off short-circuit protection is presented. By using the clamp capacitor to discharge, the experimental results with soft turn-off show several advantages, including the reduction of overshooting in drain voltage, peak current, and the prevention of excessive energy during the short circuit. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,421Kバイト |
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