 |
| ・会員価格 ¥220 |
| ・一般価格 ¥330 |
|
|
| こちらはBookPark「電気学会 電子図書館（IEEJ Electronic Library）」による文献紹介ページです。 |
|
 |
 |
電気学会会員の方はこちらから一旦ログインのうえ、マイページからお入りください。
会員価格で購入することができます。
|
|
| 非会員の方はログインの必要はありません。このまま お進みください。 |
|
|
| ■論文No. |
EDD23040,SPC23223 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
|
2023/10/23 |
| ■タイトル |
トレンチIGBTのダイナミックアバランシェ抑制設計 |
| ■タイトル(英語) |
Dynamic avalanche suppression design of trench IGBT |
| ■著者名 |
郭 祺(九州大学),西澤 伸一(九州大学),齋藤 渉(九州大学) |
| ■著者名(英語) |
Qi Guo(Kyushu University),Shin-ichi Nishizawa(Kyushu University),Wataru Saito(Kyushu University) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
|
| ■本誌掲載ページ |
81-86ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
|
| ■キーワード |
ＩＧＢＴ|ダイナミックアバランシェ|ターンオフ|IGBT|dynamic avalanche|turn-off |
| ■要約(日本語) |
ダイナミックアバランシェ（DA）に対するIGBTの構造パラメータの影響を調べた結果について報告する。Carrier Stored層（CS層）を有する1200V系IGBTについてシミュレーションを用いて検討した。構造パラメータは、メサ幅、トレンチ底部p層有無である。狭いメサ幅によりCS層濃度の増加が可能になると共に、DAを抑制する。しかし、トレンチ底部p層を有する構造の方がDAの抑制効果は大きい。 |
| ■要約(英語) |
This paper reports the effects of structural parameters on Dynamic Avalanche (DA) in IGBT. 1200V-class IGBTs with Carrier Stored (CS) layer were designed using TCAD simulation. Narrow mesa structure increased CS doping concentration and suppressed DA. However, p-layer covered trench bottom was more effective to suppress the DA. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,826Kバイト |
|
|
|
