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こちらはBookPark「電気学会 電子図書館(IEEJ Electronic Library)」による文献紹介ページです。 |
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■論文No. |
EDD23042,SPC23225 |
■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2023/10/23 |
■タイトル |
3300V スケーリング IGBT におけるダイナミックアバランシェの抑制によるターンオフ dV/dt 制御性の向上 |
■タイトル(英語) |
Improvement of Turn-off dV/dt Controllability by Suppressing Dynamic Avalanche in 3300V Scaled IGBTs |
■著者名 |
周 翔(東京大学),福井 宗利(東京大学),竹内 潔(東京大学),更屋 拓哉(東京大学),平本 俊郎(東京大学) |
■著者名(英語) |
Xiang Zhou(The University of Tokyo),Munetoshi Fukui(The University of Tokyo),Kiyoshi Takeuchi(The University of Tokyo),Takuya Saraya(The University of Tokyo),Toshiro Hiramoto(The University of Tokyo) |
■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
■本誌 |
2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
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■本誌掲載ページ |
93-98ページ |
■原稿種別 |
日本語 |
■電子版へのリンク |
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■キーワード |
IGBT|スケーリング|TCAD シミュレーション|ダイナミックアバランシェ|スイッチング制御性|IGBT|scaling|TCAD simulation|dynamic avalanche|switching controllability |
■要約(日本語) |
3300V系スケーリングIGBTにおける動的性能のスケーリング係数(k)依存性をシミュレーションにより調べた.新評価法を提案し,スケーリングIGBTのターンオフ dV/dt 制御性はダイナミック アバランシェ (DA) がより抑制されることにより向上することを明らかにした.これにより,スケーリングIGBTは低いオン抵抗と優れたスイッチング制御性のトレードオフ関係を打破できることを示した. |
■要約(英語) |
Dynamic performance has been compared among 3300V scaled IGBTs with scaling factor (k) from 1 to 10. Superior turn-off dV/dt controllability in scaled IGBTs has been demonstrated since dynamic avalanche is suppressed successfully. IGBT scaling method is proven to be able to break through the trade-off relationships in conventional IGBTs. |
■版 型 |
A4 |
■PDFファイルサイズ |
2,155Kバイト |
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