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こちらはBookPark「電気学会 電子図書館(IEEJ Electronic Library)」による文献紹介ページです。 |
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■論文No. |
EDD23045,SPC23228 |
■ページ数 |
4ページ |
■発行日
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2023/10/23 |
■タイトル |
離間ボトムP層CSTBTTMによるターンオフ損失の低減 |
■タイトル(英語) |
Separate Bottom P layer CSTBTTM for Approaching Turn-off Switching Loss Reduction Limit |
■著者名 |
小西 和也(三菱電機),新田 哲也(三菱電機),玉城 朋宏(三菱電機),曽根田 真也(三菱電機) |
■著者名(英語) |
Kazuya Konishi(Mitsubishi Electric),Tetsuya Nitta(Mitsubishi Electric),Tomohiro Tamaki(Mitsubishi Electric),Shinya Soneda(Mitsubishi Electric) |
■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
■本誌 |
2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2
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■本誌掲載ページ |
1-4ページ |
■原稿種別 |
日本語 |
■電子版へのリンク |
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■キーワード |
ダイナミックアバランシェ|ターンオフ損失|IGBT|CSTBT|Dynamic avalanche|Turn-off switching loss |
■要約(日本語) |
ダイナミックアバランシェとターンオフ損失(Eoff)はトレードオフの関係にある。本研究では離間ボトムP層CSTBTTM構造を提案し、TCADシミュレーションによりEoff低減効果を検証した。新規構造によりトレンチ底部の電界を緩和でき、高速スイッチングが可能となった。その結果、従来構造と同じオン電圧条件でEoffを20%低減することに成功した。 |
■要約(英語) |
We propose a new separate-bottom P layer CSTBTTM and demonstrate its impact on Eoff reduction by TCAD simulations. This structure relaxes the electric field at trench bottom and enables faster dI/dt and dV/dt. Therefore, our proposed structure successfully reduces the Eoff by 20% at the same condition of VCE(sat) as the conventional structure, approaching the Eoff limit. |
■版 型 |
A4 |
■PDFファイルサイズ |
1,665Kバイト |
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