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■論文No. EDD23045,SPC23228
■ページ数 4ページ
■発行日
2023/10/23
■タイトル

離間ボトムP層CSTBTTMによるターンオフ損失の低減

■タイトル(英語)

Separate Bottom P layer CSTBTTM for Approaching Turn-off Switching Loss Reduction Limit

■著者名 小西 和也(三菱電機),新田 哲也(三菱電機),玉城 朋宏(三菱電機),曽根田 真也(三菱電機)
■著者名(英語) Kazuya Konishi(Mitsubishi Electric),Tetsuya Nitta(Mitsubishi Electric),Tomohiro Tamaki(Mitsubishi Electric),Shinya Soneda(Mitsubishi Electric)
■価格 会員 ¥220 一般 ¥330
■書籍種類 研究会(論文単位)
■グループ名 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会
■本誌 2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2
■本誌掲載ページ 1-4ページ
■原稿種別 日本語
■電子版へのリンク
■キーワード ダイナミックアバランシェ|ターンオフ損失|IGBT|CSTBT|Dynamic avalanche|Turn-off switching loss
■要約(日本語) ダイナミックアバランシェとターンオフ損失(Eoff)はトレードオフの関係にある。本研究では離間ボトムP層CSTBTTM構造を提案し、TCADシミュレーションによりEoff低減効果を検証した。新規構造によりトレンチ底部の電界を緩和でき、高速スイッチングが可能となった。その結果、従来構造と同じオン電圧条件でEoffを20%低減することに成功した。
■要約(英語) We propose a new separate-bottom P layer CSTBTTM and demonstrate its impact on Eoff reduction by TCAD simulations. This structure relaxes the electric field at trench bottom and enables faster dI/dt and dV/dt. Therefore, our proposed structure successfully reduces the Eoff by 20% at the same condition of VCE(sat) as the conventional structure, approaching the Eoff limit.
■版 型 A4
■PDFファイルサイズ 1,665Kバイト
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