| ■論文No. |
EDD23047,SPC23230 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2023/10/23 |
| ■タイトル |
低温プロセスによる15V駆動 浅トレンチIGBT(ST-IGBT)の提案 |
| ■タイトル(英語) |
A 15V operated Shallow Trench IGBT(ST-IGBT) fabricated by low temperature process and optimized for 12inch wafers |
| ■著者名 |
田中 雅浩(日本シノプシス),阿部 直樹(日本シノプシス),中川 明夫(中川コンサルティング事務所) |
| ■著者名(英語) |
Masahiro Tanaka(Nihon Synopsys),Naoki Abe(Nihon Synopsys),Akio Nakagawa(Nakagawa Consulting Office) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2
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| ■本誌掲載ページ |
11-16ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
ＩＧＢＴ|低温プロセス|ＲＴＡ|浅いトレンチ|キャリアライフタイム|IGBT|Low temperature process|RTA|Shallow trench|Carrier lifetime |
| ■要約(日本語) |
浅いトレンチゲートを有するIGBT構造を考案した。本IGBTは従来IGBTと同様の15V駆動が可能である。セル構造は、浅いトレンチゲートおよび浅い拡散層から構成されている。セル構造の最適化により、従来IGBTよりオン電圧を0.2V低減した。拡散層はイオン注入とRTA(Rapid Thermal Anneal)にて形成できる。プロセスの低温化により、12インチウェーハで生産する際もばらつきを低減でき、キャリアライフタイムを長くできる可能性がある。 |
| ■要約(英語) |
A shallow trench IGBT (ST-IGBT) and its fabrication process are proposed in this paper. It is designed for 15V of gate operation, as is the same as conventional IGBTs. The cell consists of shallow trench gate MOS structure and shallow doping layers, formed by ion implantation and RTA (Rapid Thermal Anneal). |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,250Kバイト |
