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| ■論文No. |
EDD23048,SPC23231 |
| ■ページ数 |
5ページ |
■発行日
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2023/10/23 |
| ■タイトル |
第3世代650V RC-IGBTの局所ライフタイム制御と高密度配置ダイオードによるジャンクション温度の低減 |
| ■タイトル(英語) |
Reduction of Junction Temperature with Local Lifetime Control and High Density Arranged Diode for 3rd Gen. 650V RC-IGBT |
| ■著者名 |
阪口 浩介(三菱電機),小西 和也(三菱電機),江口 佳佑(三菱電機),曽根田 真也(三菱電機) |
| ■著者名(英語) |
Kosuke Sakaguchi(Mitsubishi Electric),Kazuya Konishi(Mitsubishi Electric),Keisuke Eguchi(Mitsubishi Electric),Shinya Soneda(Mitsubishi Electric) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2
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| ■本誌掲載ページ |
17-21ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
局所ライフタイム制御|プロトン|ダイオードレイアウト|ジャンクション温度|電力損失|Local Lifetime Control|proton|diode layout|junction temperature|power loss|RC-IGBT |
| ■要約(日本語) |
RC-IGBTの電力損失とジャンクション温度(Tj)を低減するためには、ドリフト層のキャリア分布とダイオードのレイアウトの両方を最適化する必要がある。本研究では、CSTBTTMをベースとし、プロトン注入による局所ライフタイム制御と高密度配置ダイオードレイアウトにより、Tjの大幅な低減を達成した第3世代650V RC-IGBTを提案する。提案する第3世代RC-IGBTは、損失を5%低減し、Tjを18%低減することに成功した。 |
| ■要約(英語) |
In order to reduce power losses and Junction-to-case temperature (ΔT(j-c)) of RC-IGBTs, optimization of both carrier distribution in drift-layer and the diode layout is required. In this study, we propose 3rd generation 650V RC-IGBT based on CSTBTTM, which achieves a significant reduction of ΔT(j-c) using Local Lifetime Control (LLC) with proton implantation and high density arranged diode layout. Our proposed 3rd generation RC-IGBT successfully reduces power losses by 5% and ΔT(j-c) by 18%. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,845Kバイト |
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