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| ■論文No. |
EDD23049,SPC23232 |
| ■ページ数 |
5ページ |
■発行日
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2023/10/23 |
| ■タイトル |
超低損失RC-IGBTのためのダイオード構造 |
| ■タイトル(英語) |
Novel Diode Structure for Ultra-Low-Loss RC-IGBTs |
| ■著者名 |
山下 侑佑((株)豊田中央研究所),町田 悟((株)豊田中央研究所),斎藤 順((株)ミライズテクノロジーズ),妹尾 賢((株)デンソー) |
| ■著者名(英語) |
Yusuke Yamashita(Toyota Central R&D Labs. Inc.),Satoru Machida(Toyota Central R&D Labs. Inc.),Jun Saito(MIRISE Technologies Corporation),Masaru Senoo(DENSO CORPORATION) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2
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| ■本誌掲載ページ |
23-27ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
ＲＣ−ＩＧＢＴ|逆回復|オン抵抗|ライフタイム|正孔注入|RC-IGBT|Reverse Recovery|On-resistance|Lifetime|Hole Injection |
| ■要約(日本語) |
RC-IGBTはDiodeとIGBTを一体化し、小型高密度なパワー半導体として有用である。しかしDiodeの損失低減のために、ライフタイム制御を行うと、IGBTのライフタイムも変化してしまいIGBT損失が増加する。本研究ではIGBT特性へ影響を与えることなく、Diodeの損失を低減するRC-IGBT向けDiode構造について報告する。 |
| ■要約(英語) |
RC-IGBT integrates Diode and IGBT, making it a useful compact and high-density power semiconductor. However, implementing lifetime control to reduce Diode losses leads to changes in IGBT lifetime, increasing IGBT losses. In this study, we report on a Diode structure for RC-IGBT that mitigates Diode losses without affecting IGBT characteristics. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,534Kバイト |
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