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| こちらはBookPark「電気学会 電子図書館（IEEJ Electronic Library）」による文献紹介ページです。 |
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| ■論文No. |
EDD23051,SPC23234 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2023/10/23 |
| ■タイトル |
低スイッチング損失を実現するトリプルゲートIGBT |
| ■タイトル(英語) |
Ultra-Low Switching Loss Triple-Gate controlled IGBT |
| ■著者名 |
坂野 竜則(東芝),足立 建人(東芝),井口 智明(東芝),高尾 和人(東芝),岩鍜治 陽子(東芝デバイス＆ストレージ),下條 亮平(東芝デバイス＆ストレージ),末代 知子(東芝デバイス＆ストレージ) |
| ■著者名(英語) |
Tatsunori Sakano(Toshiba Corporation),Kento Adachi(Toshiba Corporation),Tomoaki Inokuchi(Toshiba Corporation),Kazuto Takao(Toshiba Corporation),Yoko Iwakaji(Toshiba Electronic Devices &Storage Corporation),Ryohei Gejo(Toshiba Electronic Devices &Storage Corporation),Tomoko Matsudai(Toshiba Electronic Devices &Storage Corporation) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2
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| ■本誌掲載ページ |
35-40ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
ＩＧＢＴ|トリプルゲート|ダブルゲート|ゲート制御|スイッチング損失|コントロールゲート|IGBT|triple-gate|double-gate|gate control|switching loss|control gate |
| ■要約(日本語) |
ターンオン損失(Eon)とターンオフ損失(Eoff)の両方を大幅に低減する1.2kV耐圧トリプルゲートIGBT(TG-IGBT)を提案する。TG-IGBT素子を試作し、従来のシングルゲート IGBT と比較して、Eon と Eoff をそれぞれ50%、 28%低減することを確認した。デバイス構造とトリプルゲート制御条件を最適化することで、Si-IGBTの特性をさらに改善できることを実証した。 |
| ■要約(英語) |
A triple-gate Si-IGBT (TG-IGBT) is proposed in order to improve both turn-on loss (Eon) and turn-off loss (Eoff) by using a triple-gate drive control technique. We fabricated a 1.2-kV TG-IGBT that achieved 50% and 28% reduction for Eon and Eoff. This result indicates that it is possible to overcome the limitations of Si-IGBT by optimizing the device structure and triple-gate drive control. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,904Kバイト |
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