| ■論文No. |
EDD23053,SPC23236 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2023/10/23 |
| ■タイトル |
並列IGBTデバイスの電流均一化のためのゲート遅延制御とミラープラトー効果 |
| ■タイトル(英語) |
Gate Delay Control for Current Equalization of Parallel IGBT Devices and Miller Plateau Effect |
| ■著者名 |
とりぱし らびなす(九州工業大学),大村 一郎(九州工業大学) |
| ■著者名(英語) |
RAVI NATH TRIPATHI(Kyushu Institute of Technology),Ichiro Omura(Kyushu Institute of Technology) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2
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| ■本誌掲載ページ |
47-52ページ |
| ■原稿種別 |
英語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
パワー半導体デバイス|ＩＧＢＴ|並列|ゲート制御|Power semiconductor device|IGBT|Paralleling|Gate control |
| ■要約(日本語) |
パワー半導体デバイスは、大電流を実現するために並列接続される。しかし、並列接続された半導体デバイスでは、電流のアンバランスが深刻な問題となる。並列接続された3つのデバイスの電流共有と均等化を改善するために、ゲート遅延制御が実証されている。其々IGBTに関するゲート電圧を測定して、ミラー プラトー上のゲート遅延制御の効果を分析を行いました。この遅延制御技術は、従来のオプトカプラ・ベースのゲート駆動回路を使用して実現してる。 |
| ■要約(英語) |
Power semiconductor devices are connected in parallel to realize high-current capabilities. However, the current unbalancing is a severe issue in parallel-connected semiconductor devices. A simple gate delay control is demonstrated to improve current sharing and equalization among three parallel-connected devices. The gate voltages are measured and analysed considering the gate delay control signals on the Miller Plateau for corresponding IGBT devices. This delay control technique uses a conventional opto-coupler-based gate driving circuit. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,800Kバイト |
