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| ■論文No. |
EDD23054,SPC23237 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2023/10/23 |
| ■タイトル |
パワーデバイスの温度係数を利用したマルチチップモジュールのジャンクション温度推定誤差に関する一検討 |
| ■タイトル(英語) |
A Study on Junction Temperature Estimation Error Using Temperature Sensitive Parameters of Power Devices for Parallel-connected Multi-chip Power Modules |
| ■著者名 |
福永 崇平(大阪大学),舟木 剛(大阪大学) |
| ■著者名(英語) |
Shuhei Fukunaga(Osaka University),Tsuyoshi Funaki(Osaka University) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2023年10月26日-2023年10月27日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-2
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| ■本誌掲載ページ |
53-58ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
ＳｉＣパワーデバイス|熱設計|並列接続|過渡熱抵抗測定|温度係数|SiC power device|Thermal design|Parallel connection|Transient thermal resistance|Temperature sensitive parameter |
| ■要約(日本語) |
大電力用途のパワーモジュールは, パワーデバイスを複数並列接続して実装している。JESD51-1が定めるパワーデバイスのI-V特性の温度依存性を用いたジャンクション温度推定法を, 並列接続したパワーデバイスに適用すると, モジュール内部の温度分布に依存して各パワーデバイスを流れるセンス電流が分担されるため, 複数のパワーデバイスを1つのパワーデバイスと見なした「何らかの温度」を推定することになる。このため, 数値シミュレーションを用いた設計と, 実装したモジュールの測定結果に乖離が生じる。本研究ではSiC-SBDを用いて, その物理式に基づき各デバイスの電流分担を計算し, 並列接続時に推定される温度と実際の各デバイス温度の誤差について考察する。ディスクリート品のSiC-SBDを用いて, 実際に温度差を持たせた場合のセンス電流の分担を測定し, その妥当性を確認する。 |
| ■要約(英語) |
High-power-rated power modules implement several power devices on the module substrate in parallel. The junction temperature estimation method based on JESD51-1, which utilizes the temperature dependency of I-V characteristics in power devices, has faced the difficulty in case of parallel-connected power devices: the sense current for temperature estimation is distributed depending on the temperature distribution of each device inside the module while the measured time response of voltage is the same, which makes ambiguous what temperature we estimate now. This discrepancy causes a mismatch in the numerical design and the experimental result. This paper demonstrates the distribution of the sense current according to the temperature distribution at the cooling response for parallel connected SiC-SBDs. The estimation error of whole junction temperature in parallel-connected power devices is evaluated with discrete SiC-SBDs. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,377Kバイト |
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