| ■論文No. |
EFM23019 |
| ■ページ数 |
5ページ |
■発行日
|
2023/11/19 |
| ■タイトル |
N2雰囲気中RFマグネトロンスパッタリングで作製したSnO2:N薄膜の特性評価 |
| ■タイトル(英語) |
Characterization of SnO2:N thin-films prepared by RF magnetron sputtering in Ar/N2 mixed gas atmosphere |
| ■著者名 |
川口 拓真(工学院大学),相川 慎也(工学院大学) |
| ■著者名(英語) |
Takuma Kawaguchi(Kogakuin univ.),Shinya Aikawa(Kogakuin univ.) |
| ■価格 |
会員 ¥440 一般 ¥660 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子材料研究会 |
| ■本誌 |
2023年11月22日-2023年11月23日電子材料研究会
|
| ■本誌掲載ページ |
63-67ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
|
| ■キーワード |
酸化物半導体|ＳｎＯ２|薄膜半導体|ｐ型半導体|窒素ドーピング|ＸＰＳ|Oxide Semiconductor|SnO2|Thin Film Semiconductor|p-type Semiconductor|N2 Doping|XPS |
| ■要約(日本語) |
窒素(N)はSnOx半導体の正孔ドーパントとして注目されている。これまでに、N2雰囲気での熱処理によるNドーピングによって、n型SnO2薄膜のp型化を報告した。熱処理におけるNの拡散は表面のみであり、電気特性の向上に限界があった。本研究では、N2雰囲気下でのRFマグネトロンスパッタリングを用いて、バルクへのNドーピングを検討した。薄膜は、基板温度300℃、N2濃度25〜80％で作製し、ホール測定の結果、N280%でp型のSnO2:N薄膜が得られた。 |
| ■要約(英語) |
Nitrogen (N) has attracted attention as a hole dopant for SnOx. We have previously reported p-type conversion of n-type SnO2. However, N atom diffusion was dominant at the surface, thus there is a limitation in terms of electrical properties. In this study, we investigated N doping into the bulk using RF magnetron sputtering in N2 atmosphere. |
| ■版 型 |
A4 |
