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| ■論文No. |
HEE24006 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2024/06/30 |
| ■タイトル |
半導体スーパージャンクション理論 発想の経緯 |
| ■タイトル(英語) |
Theory of Semiconductor Superjunction Devices - How the Idea Came About |
| ■著者名 |
藤平 龍彦(富士電機) |
| ■著者名(英語) |
Tatsuhiko Fujihira(Fuji Electric) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【A】基礎・材料・共通部門 電気技術史研究会 |
| ■本誌 |
2024年7月3日電気技術史研究会
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| ■本誌掲載ページ |
1-6ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
スーパージャンクション|理論|半導体|オン抵抗|でんきの礎|発想|superjunction|theory|semiconductor|on-resistance|one step on electro technology|idea |
| ■要約(日本語) |
スーパージャンクション（ＳＪ）は１９９８年からシリコン（Ｓｉ）パワーＭＯＳＦＥＴに適用され、近年その固有オン抵抗はＳｉ非ＳＪパワーＭＯＳＦＥＴ理論限界の１／１０にまで低減され、市場規模は２０２２年実績で１５億米ドルを超えた。ＳＪ特許は１９８２年にＣｏｅが初公開し、ＳＪ理論は１９９７年に藤平が発表した。本論文では、藤平によるＳＪ理論発想の経緯を報告する。それは、高耐圧ＩＣの不良品解析から始まった。 |
| ■要約(英語) |
Specific on-resistance of silicon superjunction MOSFET reached to 1/10 of the non-superjunction silicon limit. Its market surpassed US$ 1.5 billion. Superjunction patent published by Coe in 1982 and superjunction theory by Fujihira in 1997, for the first time. Present paper describes how the idea of superjunction came about to Fujihira. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,334Kバイト |
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