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| ■論文No. |
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| ■ページ数 |
33ページ |
■発行日
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2024/07/02 |
| ■タイトル |
2024年7月5日電子デバイス研究会 |
| ■タイトル(英語) |
5.Jul.2024 Technical Meeting on Electron Devices |
| ■著者名 |
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| ■著者名(英語) |
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| ■価格 |
会員 ¥2,200 一般 ¥3,300 |
| ■書籍種類 |
研究会(冊子単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
研究会テーマ:化合物半導体を用いた次世代高機能デバイス技術とアプリケーション |
| ■要約(日本語) |
高fT,fmaxを有するダブルドープGaInSbチャネルHEMT:遠藤 聡(東京理科大学),吉田 陸人(東京理科大学),河野 亮介(東京理科大学),海老原 怜央(東京理科大学),神内 智揮(東京理科大学),渡邊 一世(情報通信研究機構),山下 良美(情報通信研究機構),町田 龍人(情報通信研究機構),原 紳介(情報通信研究機構),笠松 章史(情報通信研究機構),藤代 博記(東京理科大学)
ダイヤモンド放熱基板を用いたGaN HEMT大面積化にむけた取組み:白柳 裕介(三菱電機/熊本大学),友久 伸吾(三菱電機),長永 隆志(三菱電機),笠村 啓司(熊本大学),豊田 洋輝(熊本大学),久保田 章亀(熊本大学),松前 貴司(産業総合技術研究所),倉島 優一(産業総合技術研究所),高木 秀樹(産業総合技術研究所)
ミストCVD法によるGaN系半導体向け絶縁ゲート構造の作製と評価:谷田部 然治(熊本大学),ラズアン ハディラ(熊本大学),尾藤 圭悟(熊本大学),福光 将也(熊本大学),越智 亮太(北海道大学),中村 有水(熊本大学),佐藤 威友(北海道大学)
分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証:隈部 岳瑠(名古屋大学),吉川 陽(旭化成),川崎 晟也(名古屋大学),久志本 真希(名古屋大学),本田 善央(名古屋大学),新井 学(名古屋大学),須田 淳(名古屋大学),天野 浩(名古屋大学)
原子層堆積法で形成したAlN界面層によるAlSiO/p-GaN MOSFETのチャネル移動度向上としきい値制御:伊藤 健治(豊田中央研究所),成田 哲生(豊田中央研究所),井口 紘子(豊田中央研究所),岩崎 四郎(豊田中央研究所),菊田 大悟(豊田中央研究所),狩野 絵美(名古屋大学),五十嵐 信行(名古屋大学),兼近 将一(名古屋大学),冨田 一義(名古屋大学),堀田 昌宏(名古屋大学),須田 淳(名古屋大学) |
| ■要約(英語) |
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| ■版 型 |
A4 |
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