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| ■論文No. |
FTE24010,PE24079,HV24075 |
| ■ページ数 |
6ページ |
■発行日
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2024/07/07 |
| ■タイトル |
超高耐電圧SiCパワーデバイスを用いたHVDC用MMCの概念設計 |
| ■タイトル(英語) |
Conceptual design of MMC for HVDC using ultra-high voltage SiC power devices |
| ■著者名 |
中山 浩二(産業技術総合研究所),米澤 喜幸(産業技術総合研究所),黒岩 丈晴(産業技術総合研究所) |
| ■著者名(英語) |
Koji Nakayama(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Yoshiyuki Yonezawa(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Takeharu Kuroiwa(National Institute of Advanced Industrial Science and Techn |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【B】電力・エネルギー部門 新エネルギ−・環境/【B】電力・エネルギー部門 電力技術/【B】電力・エネルギー部門 高電圧合同研究会 |
| ■本誌 |
2024年7月10日-2024年7月11日新エネルギ−・環境/電力技術/高電圧合同研究会
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| ■本誌掲載ページ |
53-58ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
超高耐圧|高電圧直流送電|モジュラーマルチレベル|シリコンカーバイド|パワーデバイス|ultra high voltage|high voltage dc|modular multi level|SiC|MOSFET|IGBT |
| ■要約(日本語) |
シミュレーションや試作した超高耐電圧SiCパワーデバイスの電気特性から、HVDC-MMCの概念設計を行った。さらに、HVDC-MMCの超高耐電圧パワーデバイス部分の効率とHVDC-MMCの利用率の関係を求めた。そして、HVDCの潮流として、負荷曲線、風力発電出力特性、太陽光発電出力特性から求めた負荷持続曲線を想定し、市販のSi-IGBTと超高耐電圧SiCパワーデバイスの総合効率の比較を行った。 |
| ■要約(英語) |
A conceptual HVDC-MMC design using ultra-high voltage SiC power devices was calculated, and its efficiency relationship with power use ratio was also calculated. The overall efficiency was compared between commercial Si-IGBT and ultra-high voltage SiC power devices using load, wind, and photovoltaic power curves. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
2,365Kバイト |
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