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| ■論文No. |
EDD24042,SPC24180 |
| ■ページ数 |
5ページ |
■発行日
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2024/11/11 |
| ■タイトル |
設計パラメータを調整可能なSiC MOSFET回路モデル |
| ■タイトル(英語) |
Circuit Simulation Model with Tunable Design Parameters for SiC-MOSFET |
| ■著者名 |
須藤 建瑠(日立製作所),井上 瑛(日立製作所),清水 悠佳(日立製作所),毛利 友紀(日立製作所),島 明生(日立製作所) |
| ■著者名(英語) |
Takeru Suto (Hitachi, Ltd.),Akira Inoue(Hitachi, Ltd.),Haruka Shimizu(Hitachi, Ltd.),Yuki Mori(Hitachi, Ltd.),Akio Shima(Hitachi, Ltd.) |
| ■価格 |
会員 ¥220 一般 ¥330 |
| ■書籍種類 |
研究会(論文単位) |
| ■グループ名 |
【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス/【D】産業応用部門 半導体電力変換合同研究会 |
| ■本誌 |
2024年11月14日-2024年11月15日電子デバイス/半導体電力変換合同研究会-1
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| ■本誌掲載ページ |
13-17ページ |
| ■原稿種別 |
日本語 |
| ■電子版へのリンク |
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| ■キーワード |
デバイスモデル|ＳｉＣ ＭＯＳＦＥＴ|パワーエレクトロニクス|ＭＢＤ|ばらつき|シミュレーション|Device model|SiCMOSFET|Power electronics|MBD|Variability|Simulation |
| ■要約(日本語) |
MOSFETとJFETの相互作用を取り入れた準物理ベースのSiC MOSFETモデルを提案する。ユーザサイドで設計パラメータのカスタマイズを可能とすることで、このモデルは納入品ばらつきによるアンバランスや、ワーストケースのシナリオを推定することを目的としている。市販のSiC MOSFETに対してモデリングを行い、様々な条件下での測定波形と良い一致を示した。このモデルはJFETの効果を取り入れることができるため、短絡などの過酷環境下の計算も期待される。 |
| ■要約(英語) |
We propose a semi-physics-based SiC MOSFET model incorporating MOSFET-JFET interactions, enabling user-side customization of design parameters. This model aims to estimate worst-case scenarios and handle product variability. Demonstrated on commercial SiC MOSFETs, it shows good agreement with measured waveforms and is expected to perform well in harsh conditions like short circuits. |
| ■版 型 |
A4 |
| ■PDFファイルサイズ |
1,671Kバイト |
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